[發明專利]一種晶型及厚度可控的二氧化鋯薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010315773.4
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN111455324B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 姚日暉;黎群杰;寧洪龍;邱斌;符曉;陳俊龍;張觀廣;袁煒鍵;周尚雄;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: C23C14/28
• 分類號: C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 羅嘯秋

1.一種晶型及厚度可控的二氧化鋯薄膜的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：

(1)脈沖激光沉積氧化鋯薄膜：以氧化鋯為靶材，將玻璃基片放置在基板上，將真空腔室抽至2×10^-4～5×10^-4Pa，調整靶材與基板之間的距離，設置脈沖頻率為4～6Hz，激光能量為150～350mJ，采用非圓形的激光光斑照射靶材，預沉積1～3min后將脈沖數設置為10000～30000次繼續沉積；

(2)退火處理：將步驟(1)的氧化鋯薄膜置于空氣環境中熱退火，退火溫度為300～400℃，得到晶型及厚度可控的二氧化鋯薄膜；

步驟(1)中所述靶材與基板之間的距離為4.5～7cm；

步驟(1)中所述激光光斑的形狀為豎直對角線長于水平對角線的菱形；

步驟(2)中所述退火的時間為1h。

2.根據權利要求1所述的一種晶型及厚度可控的二氧化鋯薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)中氧化鋯靶材的純度為99.99％。

3.根據權利要求1所述的一種晶型及厚度可控的二氧化鋯薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述玻璃基片在使用前先經異丙醇和去離子水超聲清洗后烘干。