[發(fā)明專利]多面體硅晶的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010314746.5 | 申請日: | 2020-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN111410197B | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 程自強 | 申請(專利權(quán))人: | 華東交通大學(xué) |
| 主分類號: | C01B33/02 | 分類號: | C01B33/02;C01B33/021 |
| 代理公司: | 焦作加貝專利代理事務(wù)所(普通合伙) 41182 | 代理人: | 馮新志 |
| 地址: | 330013 江西省南*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多面體 制備 方法 | ||
1.多面體硅晶的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一:以硅粉和硫粉的混合物為原料,以單質(zhì)碘為輸運劑;
步驟二:將原料和輸運劑一同加入反應(yīng)容器,于一定壓力下真空密封,后經(jīng)高溫反應(yīng);
步驟三:將步驟二所得產(chǎn)物取出,經(jīng)洗滌除去殘留的碘,即可得到所述多面體硅晶;
所述硅粉和硫粉的物質(zhì)的量之比為1:1,按照反應(yīng)容器的容積計,單質(zhì)碘的加入為2-4mg/mL。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多面體硅晶的制備方法,其特征在于,步驟二所述壓力小于10-3mbar。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多面體硅晶的制備方法,其特征在于,步驟二所述高溫反應(yīng)時的溫度為800~900攝氏度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多面體硅晶的制備方法,其特征在于,步驟二所述高溫反應(yīng)的時間為3-10天。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多面體硅晶的制備方法,其特征在于,步驟二所述高溫反應(yīng)具體為:將密封后的反應(yīng)容器水平放置在馬弗爐中進行高溫反應(yīng),且將原料處在靠近爐絲的高溫區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多面體硅晶的制備方法,其特征在于,步驟三所述洗滌為用丙酮洗滌。
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