[發明專利]圖像顯示元件有效
| 申請號: | 202010313319.5 | 申請日: | 2020-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN111863854B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發明(設計)人: | 井口勝次 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/50;G09G3/32 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家歡 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像 顯示 元件 | ||
本發明減少微型發光元件的串擾,提高發光效率。圖像顯示元件(200)由以氮化物半導體(14)的側面相對于光發出方向張開的方式傾斜的反射材料(20)覆蓋,波長轉換部(32、33)由隔壁(34)包圍側方,隔壁(34)的面向波長轉換部(32、33)的側面成為以相對于光發出方向張開的方式傾斜的反射面。
技術領域
本發明涉及微型發光元件以及包含它的圖像顯示元件。
背景技術
提出在驅動電路基板(driving?circuit?substrate)上配置有多個構成像素的微型發光元件的顯示元件。例如,在專利文獻1公開的技術中,在硅基板上形成有驅動電路,在驅動電路上配置有發出紫外光的微小的發光二極管(LED)陣列。另外,在上述技術中,公開:通過在發光二極管陣列上設置有將紫外光向紅色、綠色以及藍色的可見光轉換的波長轉換層(wave?length?conversion?layer)從而顯示彩色圖像的小型的顯示元件。
這樣的顯示元件小型并且具有亮度高、耐久性也高這樣的特性。因此,可期待作為眼鏡型終端(glasses-like?devices)、平視顯示器(HUD:Head-Up?Display)等顯示裝置用的顯示元件。
作為這樣的顯示元件的制造方法,由于驅動電路基板的材料和微型發光元件的材料不同,所以通常為在分別形成兩者后使它們貼合的方法。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本公開專利公報“日本特開2002-141492號公報(2002年5月17日公開)”
發明內容
本發明所要解決的技術問題
然而,在上述的專利文獻1公開的微型發光元件以及顯示元件的構造中,發光層所產生的光的多數(數十%)從微型發光元件的側面朝向鄰接的微型發光元件發出。這樣的光被鄰接的微型發光元件吸收,再次從該微型發光元件發出。由此,產生以下問題,即,鄰接的微型發光元件產生光串擾,并且由微型發光元件產生的光中的向外部發出的光的比例變低,發光效率(light?emission?efficiency)變低。相同的問題也在波長轉換層中產生。
本發明的一方式是鑒于上述問題點而完成的,其目的在于提供防止鄰接的微型發光元件間以及波長轉換層間的光串擾且提高微型發光元件以及波長轉換層的發光效率的圖像顯示元件。
解決問題的方案
(1)為了解決上述課題,本發明的一方式所涉及的圖像顯示元件具備:驅動電路基板,其包括對微型發光元件供給電流并使該微型發光元件發光的驅動電路;上述微型發光元件,其以陣列狀排列在上述驅動電路基板上;以及波長轉換部,其配置在上述微型發光元件上,并將上述微型發光元件發出的激發光轉換為波長更長的長波長光并向與上述驅動電路基板相反側發出,上述微型發光元件具備:從發光面側依次層疊第一導電層、發光層以及與上述第一導電層相反導電型的第二導電層而成的半導體,上述半導體的側面以相對于光發出方向張開的方式傾斜并且由反射材料覆蓋,上述波長轉換部由隔壁包圍側方,上述隔壁的面向上述波長轉換部的側面成為以相對于光發出方向張開的方式傾斜的反射面。
(2)另外,本發明的某個實施方式是圖像顯示元件,其在上述(1)的結構的基礎上,由上述反射面圍起而成的底部開口部在比上述反射材料的發光面側的上端部相對于上述微型發光元件靠內側的位置配置。
(3)另外,本發明的某個實施方式是圖像顯示元件,其在上述(1)的結構的基礎上,在上述半導體的側面與上述反射材料之間配置有透明絕緣膜。
(4)另外,本發明的某個實施方式是圖像顯示元件,其在上述(3)的結構的基礎上,由上述反射面圍起而成的底部開口部覆蓋上述半導體的發光面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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