[發明專利]圖像顯示元件有效
| 申請號: | 202010313319.5 | 申請日: | 2020-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN111863854B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發明(設計)人: | 井口勝次 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/50;G09G3/32 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家歡 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像 顯示 元件 | ||
1.一種圖像顯示元件,其特征在于,具備:
驅動電路基板,其包含對微型發光元件供給電流并使所述微型發光元件發光的驅動電路,所述微型發光元件是在所述驅動電路基板上以陣列方式排列的多個微型發光元件之一;以及
波長轉換部,其配置在所述微型發光元件上,并將所述微型發光元件發出的激發光轉換為波長更長的長波長光并向與所述驅動電路基板相反側發出,
所述微型發光元件具備:從發光面側依次層疊第一導電層、發光層以及與所述第一導電層相反導電型的第二導電層而成的半導體,
所述半導體的側面以相對于光發出方向張開的方式傾斜并且由反射材料覆蓋,
所述波長轉換部由隔壁包圍側方,
所述隔壁的面向所述波長轉換部的側面成為以相對于光發出方向張開的方式傾斜的反射面,
在所述第一導電層的上方配置有共用電極,
所述隔壁與所述共用電極直接接觸。
2.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
由所述反射面圍起而成的底部開口部在比所述反射材料的發光面側的上端部相對于所述微型發光元件靠內側的位置配置。
3.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
在所述半導體的側面與所述反射材料之間配置有透明絕緣膜。
4.根據權利要求3所述的圖像顯示元件,其特征在于,
由所述反射面圍起而成的底部開口部覆蓋所述半導體的發光面。
5.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述隔壁的側面的傾斜角度處于相對于所述發光層的上表面為85°~45°的范圍。
6.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
以陣列狀排列的多個所述微型發光元件包括子像素的微型發光元件,每個所述子像素的微型發光元件包括透明部以取代所述波長轉換部,
所述透明部由隔壁包圍側方,
所述隔壁的面向所述透明部的側面成為以相對于光發出方向張開的方式傾斜的反射面。
7.根據權利要求3所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述透明絕緣膜的膜厚為75nm以上。
8.根據權利要求3所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述透明絕緣膜的膜厚為400nm以上。
9.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述半導體的側面中的所述發光層的周圍的側面的傾斜角度相對于所述發光層的上表面為60°以下。
10.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述半導體的側面中的所述發光層的周圍的側面的傾斜角度相對于所述發光層的上表面為50°以下。
11.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述半導體的側面中的所述第一導電層的周圍的側面的傾斜角度相對于所述發光層的上表面而不足90°。
12.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述反射材料與所述第一導電層導通。
13.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述反射材料與所述第二導電層導通。
14.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述反射面相對于所述發光層的上表面的傾斜角度為所述第一導電層的側面相對于所述發光層的上表面的傾斜角度以下。
15.根據權利要求1所述的圖像顯示元件,其特征在于,
所述反射面由反射材料形成,
包圍所述半導體的側面的反射材料與所述隔壁的反射面直接接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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