[發明專利]一種化學機械平坦化設備在審
| 申請號: | 202010312266.5 | 申請日: | 2020-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN111618736A | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發明(設計)人: | 李婷;岳爽;尹影;崔凱;蔣錫兵;靳陽 | 申請(專利權)人: | 北京爍科精微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/10 | 分類號: | B24B37/10;B24B37/34;B24B53/017;B24B41/02;B24B57/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 化學 機械 平坦 設備 | ||
本發明涉及半導體設備技術領域,具體涉及一種化學機械平坦化設備,晶圓與拋光墊接觸時,所述晶圓上具有接觸區域,該平坦化設備上設有噴液組件,所述噴液組件具有至少一個出液口,從所述出液口噴出的液體均勻地分布在所述接觸區域上。本發明提供一種提高了晶圓表面均勻度的化學機械平坦化設備。
技術領域
本發明涉及半導體設備技術領域,具體涉及一種化學機械平坦化設備。
背景技術
隨著摩爾定律的發展,半導體制造工藝流程中化學機械平坦化設備的作用越來越重要,對設備的工藝性能要求也越來越高。化學機械平坦化的工藝性能中,最關鍵因素便是晶圓表面形貌,晶圓表面形貌的平整與否,直接影響后續工藝制程,并可能導致最終芯片的電氣性能受到影響,因此有效改善晶圓表面形貌是化學機械平坦化設備性能優化的最重要目標之一。
現有的化學機械平坦化設備在拋光時,利用晶圓與拋光墊相互研磨,研磨的同時輸送拋光液,使拋光液與晶圓的表面發生化學反應,從而達到對晶圓表面的平坦化處理,但此拋光方式后的晶圓表面形貌不盡如人意,主要表現在晶圓邊緣處拋光速率“突變”,會出現急劇降低而后增大的情況,或直接大幅增大的情況,從而影響晶圓表面的均勻度,造成晶圓邊緣一圈因良品率原因無法使用,從而造成浪費。
發明內容
因此,本發明要解決的技術問題在于解決現有技術中的化學機械平坦化設備拋光后,晶圓表面均勻度差的問題,從而提供一種提高了晶圓表面均勻度的化學機械平坦化設備。
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種化學機械平坦化設備,晶圓與拋光墊接觸時,所述晶圓上具有接觸區域,該平坦化設備上設有噴液組件,所述噴液組件具有至少一個出液口,從所述出液口噴出的液體均勻地分布在所述接觸區域上。
進一步,所述噴液組件相對所述拋光墊移動設置,所述噴液組件的移動軌跡與所述晶圓相對所述拋光墊的移動軌跡相同。
進一步,所述噴液組件相對所述晶圓在所述移動軌跡上,位于所述晶圓的前方。
進一步,所述噴液組件在接觸區域的周邊擺動。
進一步,還包括修整組件,所述修整組件為噴液組件。
進一步,所述修整組件包括與所述拋光墊接觸的修整端,所述出液口位于所述修整端上。
進一步,所述出液口設于所述修整端的外周壁上。
進一步,所述出液口為多個,且沿所述修整端的外周壁均勻分布。
進一步,所述出液口設于所述修整端的底部。
進一步,所述修整組件還包括相對所述拋光墊移動的移動臂,所述移動臂上設置有所述修整端,所述移動臂內設置有與所述出液口連通的輸液管路。
進一步,所述移動臂上設置有所述出液口。
本發明技術方案,具有如下優點:
1.本發明提供的化學機械平坦化設備,晶圓與拋光墊接觸時,所述晶圓上具有接觸區域,該平坦化設備上設有噴液組件,所述噴液組件具有至少一個出液口,從所述出液口噴出的液體均勻地分布在所述接觸區域上,使得晶圓能夠均勻的與液體接觸,晶圓與液體之間發生的化學反應也更加的均勻,進而提高了晶圓表面的均勻度,避免晶圓邊緣處拋光速率突變,出現急劇降低而后增大,或直接大幅增大的情況,從而提高了晶圓的良品率,減少了因加工問題造成的浪費。
2.本發明提供的化學機械平坦化設備,所述出液口為多個,且沿所述修整端的外周壁均勻分布,使得每個出液口噴在拋光墊上液體量相同且均勻,使得噴出的液體在拋光墊的接觸區域上分布更均勻。
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