[發(fā)明專利]一種高雙折射光纖及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010310980.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111367011A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣學(xué)芹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州博研德信息科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B6/02 | 分類號(hào): | G02B6/02 |
| 代理公司: | 蘇州圓融專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32417 | 代理人: | 郭珊珊 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州市昆山*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙折射 光纖 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種高雙折射光纖及其制備方法,包括光纖主體,所述光纖主體中心處設(shè)置有纖芯,所述光纖主體設(shè)置有平面部,所述光纖主體位于平面部一側(cè)開(kāi)設(shè)有開(kāi)放式通風(fēng)孔,所述光纖主體上開(kāi)設(shè)有空氣孔。本發(fā)明,開(kāi)放式通風(fēng)孔不僅可以加快流體的填充速率和響應(yīng)時(shí)間,同時(shí)可以避免在光柵寫(xiě)制過(guò)程中的高能量散射,由于去除了部分外部包層,這種開(kāi)放性結(jié)構(gòu)對(duì)入射激光有聚焦的作用,因此避免了更多的散射,使纖芯聚集更多光束的能量,提高了光柵的寫(xiě)入效率,在這種開(kāi)放性光子晶體光纖結(jié)構(gòu)中,流體可以通過(guò)側(cè)面快速的進(jìn)入,基于這種結(jié)構(gòu)可以形成實(shí)時(shí)的分布式傳感。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光纖技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種高雙折射光纖及其制備方法。
背景技術(shù)
過(guò)去對(duì)光子晶體流體傳感的研究主要是致力于優(yōu)化光纖的結(jié)構(gòu)和解調(diào)技術(shù)來(lái)提高靈敏度。然而,在實(shí)際的應(yīng)用中,由于空氣孔非常小,光纖長(zhǎng)度又很長(zhǎng),即使在真空/壓力的作用和流體擴(kuò)散的條件下,流體填充包層中的空氣孔也要花很長(zhǎng)時(shí)間。例如,用異丙醇(液體)填充半米光子晶體光纖要大于4個(gè)小時(shí),用乙炔(氣體)填充一米光子晶體光纖大約要200分鐘。因此傳統(tǒng)的光子晶體光纖結(jié)構(gòu)不能實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)的傳感,如圖6為傳統(tǒng)封閉式光子晶體光柵激光寫(xiě)入過(guò)程光束的散射示意圖。同時(shí),在對(duì)光子晶體光柵的紫外激光寫(xiě)入制作過(guò)程中,光纖包層中的氣孔會(huì)抑制光柵的寫(xiě)入效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高雙折射光纖及其制備方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種高雙折射光纖,包括光纖主體,所述光纖主體中心處設(shè)置有纖芯,所述光纖主體設(shè)置有平面部,所述光纖主體位于平面部一側(cè)開(kāi)設(shè)有開(kāi)放式通風(fēng)孔,所述光纖主體上開(kāi)設(shè)有空氣孔。
優(yōu)選的,所述纖芯采用的是鍺摻雜的纖芯。
優(yōu)選的,所述開(kāi)放式通風(fēng)孔設(shè)置為半橢圓形結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的,所述開(kāi)放式通風(fēng)孔沿著y軸和x軸的直徑分別為24um和20um。
優(yōu)選的,所述光纖主體的直徑設(shè)置為123um,纖芯直徑設(shè)置為8um,空氣孔的直徑設(shè)置為5.2um。
一種高雙折射光纖的制備方法,包括以下步驟:
S1:光纖主體的制備;
S2:在光纖主體上開(kāi)設(shè)開(kāi)放式通風(fēng)孔;
S3:寫(xiě)入鍺摻雜的纖芯。
優(yōu)選的,步驟S1中所述制備的光纖主體上開(kāi)設(shè)有多個(gè)空氣孔。
優(yōu)選的,步驟S2中所述開(kāi)放式通風(fēng)孔的制作是通過(guò)表面拋光技術(shù)在光纖主體上開(kāi)設(shè)的。
優(yōu)選的,步驟S3中所述纖芯的寫(xiě)入是通過(guò)紫外激光光束寫(xiě)入鍺摻雜的纖芯。
優(yōu)選的,步驟S2中還包括用折射率匹配液通過(guò)部分開(kāi)放的包層結(jié)構(gòu)快速填充開(kāi)放式光子晶體光纖,從而聚焦紫外激光光束。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:開(kāi)放式通風(fēng)孔不僅可以加快流體的填充速率和響應(yīng)時(shí)間,同時(shí)可以避免在光柵寫(xiě)制過(guò)程中的高能量散射,由于去除了部分外部包層,這種開(kāi)放性結(jié)構(gòu)對(duì)入射激光有聚焦的作用,因此避免了更多的散射,使纖芯聚集更多光束的能量,提高了光柵的寫(xiě)入效率,在這種開(kāi)放性光子晶體光纖結(jié)構(gòu)中,流體可以通過(guò)側(cè)面快速的進(jìn)入,基于這種結(jié)構(gòu)可以形成實(shí)時(shí)的分布式傳感。
附圖說(shuō)明
附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分,與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明不同時(shí)間光纖包層氣孔中流體的濃度分布示意圖。
圖3為本發(fā)明折射率精度示意圖。
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