[發明專利]一種高雙折射光纖及其制備方法在審
| 申請號： | 202010310980.0 | 申請日： | 2020-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN111367011A | 公開（公告）日： | 2020-07-03 |
| 發明（設計）人： | 蔣學芹 | 申請（專利權）人： | 蘇州博研德信息科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/02 | 分類號： | G02B6/02 |
| 代理公司： | 蘇州圓融專利代理事務所(普通合伙) 32417 | 代理人： | 郭珊珊 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇州市昆山*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙折射 光纖 及其 制備 方法 | ||
1.一種高雙折射光纖，包括光纖主體(1)，其特征在于：所述光纖主體(1)中心處設置有纖芯(3)，所述光纖主體(1)設置有平面部(4)，所述光纖主體(1)位于平面部(4)一側開設有開放式通風孔(5)，所述光纖主體(1)上開設有空氣孔(2)。
2.根據權利要求1所述的一種高雙折射光纖，其特征在于：所述纖芯(3)采用的是鍺摻雜的纖芯。
3.根據權利要求1所述的一種高雙折射光纖，其特征在于：所述開放式通風孔(5)設置為半橢圓形結構。
4.根據權利要求2所述的一種高雙折射光纖，其特征在于：所述開放式通風孔(5)沿著y軸和x軸的直徑分別為24um和20um。
5.根據權利要求1、2、3或4所述的一種高雙折射光纖，其特征在于：所述光纖主體(1)的直徑設置為123um，纖芯(3)的直徑設置為8um，空氣孔(2)的直徑設置為5.2um。
6.根據權利要求1所述的一種高雙折射光纖的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1：光纖主體(1)的制備；
S2：在光纖主體(1)上開設開放式通風孔(5)；
S3：寫入鍺摻雜的纖芯。
7.根據權利要求6所述的一種高雙折射光纖的制備方法，其特征在于：步驟S1中所述制備的光纖主體(1)上開設有多個空氣孔(2)。
8.根據權利要求6所述的一種高雙折射光纖的制備方法，其特征在于：步驟S2中所述開放式通風孔(5)的制作是通過表面拋光技術在光纖主體(1)上開設的。
9.根據權利要求6所述的一種高雙折射光纖的制備方法，其特征在于：步驟S3中所述纖芯(3)的寫入是通過紫外激光光束寫入鍺摻雜的纖芯。
10.根據權利要求6所述的一種高雙折射光纖的制備方法，其特征在于：步驟S2中還包括用折射率匹配液通過部分開放的包層結構快速填充開放式光子晶體光纖，從而聚焦紫外激光光束。
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