[發明專利]噪聲抑制薄片在審
| 申請號: | 202010310658.8 | 申請日: | 2020-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN113543613A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 山田喬;佐藤淳;早川敏雄;折笠誠;茂呂英治 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;陳明霞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噪聲 抑制 薄片 | ||
在噪聲抑制薄片中,呈箔狀的金屬磁性體層和非磁性金屬體層經由粘著材料層而貼合。通過將這樣的噪聲抑制薄片安裝于電子部件等,可以吸收、抑制從電子部件中的電路等產生的噪聲。在噪聲抑制薄片中,噪聲被金屬磁性體層吸收。由于未被金屬磁性體層吸收而透過的噪聲可以被非磁性金屬體層反射并再次被金屬磁性體層吸收,因此噪聲抑制薄片可以更有效地抑制噪聲。
技術領域
本公開涉及一種噪聲抑制薄片(noise suppression sheet)。
背景技術
近年來,伴隨著電子設備等中的數字電路的操作速度的高速化,由從電路產生的電磁波等的噪聲引起的電子設備的誤操作或對人體的影響嚴重化。因此,正在進行用于抑制(阻擋)噪聲的噪聲抑制薄片的開發。
例如,日本特開2004-153213號公報公開了一種具有使絕緣膜貼合于FeNi合金的結構的噪聲抑制薄片。本文獻公開了一種經由粘結劑層而使FeNi合金箔和絕緣膜貼合的技術。
發明內容
發明人等對噪聲抑制薄片的磁屏蔽特性進行了反復研究,其結果,新發現了即使在高頻區域也可以實現高磁屏蔽特性的技術。
根據本公開,提供了一種謀求了磁屏蔽特性的提高的噪聲抑制薄片。
本公開的一個方式所涉及的噪聲抑制薄片具備呈箔狀的金屬磁性體層、非磁性金屬體層和粘著材料層,金屬磁性體層和非磁性金屬體層經由粘著材料層而貼合。
另外,根據另一個方式所涉及的噪聲抑制薄片,其中,粘著材料層的介電常數為5.0以下。
進一步地,根據另一個方式所涉及的噪聲抑制薄片,其中,金屬磁性體層的厚度為20μm以下。
另外,根據另一個方式所涉及的噪聲抑制薄片,其中,粘著材料層的厚度為5~100μm。
進一步地,根據另一個方式所涉及的噪聲抑制薄片,其中,金屬磁性體層由FeNi合金構成。
另外,根據另一個方式所涉及的噪聲抑制薄片,其中,非磁性金屬體層由選自Cu和Al中的至少一種構成。
附圖說明
圖1是示出噪聲抑制薄片的一個實施方式的示意截面圖。
圖2是示出實施例所涉及的評價結果的表。
具體實施方式
在下文中,將適當地參照附圖,對本公開的優選實施方式進行詳細地說明。然而,本公開不限于以下的實施方式。
圖1是示出噪聲抑制薄片的一個實施方式的示意截面圖。圖1所示的噪聲抑制薄片1具有層疊構造,并且以金屬磁性體層10、粘著材料層30和非磁性金屬體層20的順序層疊。更具體地,在噪聲抑制薄片1中,金屬磁性體層10和非磁性金屬體層20經由粘著材料層30而結合(即,貼合)。從薄化的觀點出發,噪聲抑制薄片1的厚度被設計為100μm以下。
金屬磁性體層10呈箔狀,并且由金屬磁性體構成。金屬磁性體層10例如可以通過滾軋或薄片制造法而得到。金屬磁性體層10例如由FeNi合金(坡莫合金)、硅鋼板、FeSiAl合金(Sendust)等構成。在本實施方式中,金屬磁性體層10由含有70~84wt%的Ni且含有16~30wt%的Fe的FeNi合金構成。在金屬磁性體層10中可以添加2~8wt%的Si。金屬磁性體層10具有高磁導率,并且發揮作為吸收噪聲的磁屏蔽層的作用。
金屬磁性體層10的厚度在本實施方式中被設計為20μm以下(作為一例,為10μm)。從噪聲抑制薄片1的薄化的觀點出發,金屬磁性體層10的厚度可以為10μm以下、7μm以下或5μm以下。從更有效地吸收噪聲的觀點出發,金屬磁性體層10的厚度可以為0.5μm以上、1μm以上或3μm以上。
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