[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010310485.X
• 申請日: 2020-04-20
• 公開（公告）號: CN112420725A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李南宰
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置包括：

公共源極線；

溝道結(jié)構(gòu)，所述溝道結(jié)構(gòu)從所述公共源極線在垂直方向上延伸；

柵極層疊結(jié)構(gòu)，所述柵極層疊結(jié)構(gòu)圍繞所述溝道結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極層疊結(jié)構(gòu)包括交替地層疊在所述公共源極線上的層間絕緣層和導(dǎo)電圖案；以及

位線，所述位線設(shè)置在所述柵極層疊結(jié)構(gòu)上并連接至所述溝道結(jié)構(gòu)，

其中，所述溝道結(jié)構(gòu)包括：

中空型溝道層，所述中空型溝道層具有面對所述位線的封閉端部和面對所述公共源極線的開放端部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置還包括：位接觸插塞，所述位接觸插塞設(shè)置在所述溝道層和所述位線之間，所述位接觸插塞圍繞所述溝道層的所述封閉端部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述溝道層的所述封閉端部從所述柵極層疊結(jié)構(gòu)朝向所述位線突出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述公共源極線包括圍繞所述溝道層的所述開放端部的側(cè)壁的摻雜半導(dǎo)體圖案，所述摻雜半導(dǎo)體圖案延伸到所述溝道層的中部區(qū)域中，所述摻雜半導(dǎo)體圖案包括導(dǎo)電型摻雜劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述公共源極線還包括金屬圖案，所述金屬圖案形成在所述摻雜半導(dǎo)體圖案的表面上，所述金屬圖案經(jīng)由所述摻雜半導(dǎo)體圖案連接至所述溝道結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置還包括沿著所述溝道結(jié)構(gòu)的側(cè)壁延伸的存儲器層，

其中，所述溝道結(jié)構(gòu)還包括填充所述溝道層的中部區(qū)域的芯絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述溝道層的所述開放端部比所述存儲器層進一步朝向所述公共源極線突出，所述溝道層的所述開放端部嵌入到所述公共源極線中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置還包括：

虛設(shè)層疊結(jié)構(gòu)，所述虛設(shè)層疊結(jié)構(gòu)與所述柵極層疊結(jié)構(gòu)平行；以及

垂直接觸插塞，所述垂直接觸插塞貫穿所述虛設(shè)層疊結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述垂直接觸插塞包括：

金屬圖案，所述金屬圖案從所述虛設(shè)層疊結(jié)構(gòu)內(nèi)延伸到所述虛設(shè)層疊結(jié)構(gòu)的底表面上；以及

摻雜半導(dǎo)體圖案，所述摻雜半導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述金屬圖案與所述虛設(shè)層疊結(jié)構(gòu)的所述底表面之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置還包括：

基板，所述基板包括與所述柵極層疊結(jié)構(gòu)交疊的源極線驅(qū)動電路和與所述虛設(shè)層疊結(jié)構(gòu)交疊的頁緩沖器電路；

絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)在所述基板、所述垂直接觸插塞和所述公共源極線之間延伸；以及

導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)貫穿所述絕緣結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)將所述公共源極線連接至所述源極線驅(qū)動電路，并將所述垂直接觸插塞連接至所述頁緩沖器電路。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述位線延伸到所述虛設(shè)層疊結(jié)構(gòu)上以連接至所述垂直接觸插塞。

12.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置包括：

公共源極線；

位線，所述位線在垂直方向上與所述公共源極線間隔開；

柵極層疊結(jié)構(gòu)，所述柵極層疊結(jié)構(gòu)包括層間絕緣層和導(dǎo)電圖案，其中，所述層間絕緣層和所述導(dǎo)電圖案交替地層疊在所述公共源極線和所述位線之間；

孔，所述孔貫穿所述柵極層疊結(jié)構(gòu)，所述孔具有靠近所述位線變窄而靠近所述公共源極線變寬的錐形形狀；

存儲器層，所述存儲器層形成在所述孔的表面上；以及

溝道結(jié)構(gòu)，所述溝道結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述存儲器層上，所述溝道結(jié)構(gòu)連接至所述公共源極線和所述位線。