[發(fā)明專利]集成電路半導(dǎo)體器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010310463.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-04-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112133697A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金昊俊;李南玹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 半導(dǎo)體器件 | ||
一種集成電路半導(dǎo)體器件包括：襯底的第一區(qū)域中的多橋溝道型晶體管，其中所述多橋溝道型晶體管包括：襯底上的納米片堆疊結(jié)構(gòu)；納米片堆疊結(jié)構(gòu)上的第一柵介電層；以及第一柵介電層上的第一柵電極；以及襯底的第二區(qū)域中的鰭型晶體管，其中所述鰭型晶體管包括：襯底上的有源鰭；有源鰭上的第二柵介電層；以及第二柵介電層上的第二柵電極，其中納米片堆疊結(jié)構(gòu)的寬度大于有源鰭的寬度。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2019年6月25日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2019-0075788的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過(guò)引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思涉及一種集成電路半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種包括多個(gè)晶體管的集成電路半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
集成電路半導(dǎo)體器件采用以低電壓進(jìn)行操作的晶體管和以高電壓進(jìn)行操作的晶體管。隨著半導(dǎo)體器件集成度變得更高，使用了三維晶體管。然而，以高電壓和低電壓進(jìn)行操作的三維晶體管可能不能可靠地形成在襯底上。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種集成電路半導(dǎo)體器件，包括：襯底的第一區(qū)域中的多橋溝道型晶體管，其中所述多橋溝道型晶體管包括：襯底上的納米片堆疊結(jié)構(gòu)；納米片堆疊結(jié)構(gòu)上的第一柵介電層；以及第一柵介電層上的第一柵電極；以及襯底的第二區(qū)域中的鰭型晶體管，其中所述鰭型晶體管包括：襯底上的有源鰭；有源鰭上的第二柵介電層；以及第二柵介電層上的第二柵電極，其中納米片堆疊結(jié)構(gòu)的寬度大于有源鰭的寬度。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種集成電路半導(dǎo)體器件，包括：襯底的第一區(qū)域中的多橋溝道型晶體管，其中所述多橋溝道型晶體管包括：在襯底上在第一方向上延伸的第一場(chǎng)子鰭；第一場(chǎng)子鰭上的納米片堆疊結(jié)構(gòu)；納米片堆疊結(jié)構(gòu)上的第一柵介電層；以及在第一柵介電層上在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一柵電極；襯底的第二區(qū)域中的鰭型晶體管，其中所述鰭型晶體管包括：在第一方向上延伸的第二場(chǎng)子鰭；在第二場(chǎng)子鰭上在第一方向上延伸的有源鰭；有源鰭上的第二柵介電層；以及在第二柵介電層上在第二方向上延伸的第二柵電極，其中納米片堆疊結(jié)構(gòu)在第二方向上的寬度大于有源鰭在第二方向上的寬度。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種集成電路半導(dǎo)體器件，包括：襯底的第一區(qū)域中的多橋溝道型晶體管，其中所述多橋溝道型晶體管包括：在襯底上在第一方向上延伸的第一場(chǎng)子鰭；在第一場(chǎng)子鰭上在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一柵電極；與第一場(chǎng)子鰭和第一柵電極彼此交叉的區(qū)域重疊的納米片堆疊結(jié)構(gòu)；以及納米片堆疊結(jié)構(gòu)的納米片與第一柵電極之間的第一柵介電層；以及襯底的第二區(qū)域中的鰭型晶體管，其中所述鰭型晶體管包括：在襯底上在第一方向上延伸的第二場(chǎng)子鰭，在第二場(chǎng)子鰭上在第二方向上延伸的第二柵電極；與第二場(chǎng)子鰭和第二柵電極彼此交叉的區(qū)域重疊的有源鰭；以及有源鰭與第二柵電極之間的第二柵介電層，其中納米片堆疊結(jié)構(gòu)在第二方向上的寬度大于有源鰭在第二方向上的寬度。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種集成電路半導(dǎo)體器件，包括：襯底的第一區(qū)域中的第一晶體管，其中第一晶體管包括在第一方向上堆疊的多個(gè)納米片；以及襯底的第二區(qū)域中的第二晶體管，其中第二晶體管包括有源鰭，其中多個(gè)納米片中的第一納米片在垂直于第一方向的第二方向上的寬度大于有源鰭在第二方向上的寬度。
附圖說(shuō)明
通過(guò)結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，將更清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他特征，在附圖中：
圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的集成電路半導(dǎo)體器件的布局圖；
圖2是圖1的集成電路半導(dǎo)體器件的沿線IIa-IIa’和線IIb-IIb’截取的橫截面圖；
圖3是圖1的集成電路半導(dǎo)體器件的沿線IIIa-IIIa’和線IIIb-IIIb’截取的橫截面圖；
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
