[發(fā)明專利]集成電路半導(dǎo)體器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010310463.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-04-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112133697A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金昊俊;李南玹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種集成電路半導(dǎo)體器件，包括：
襯底的第一區(qū)域中的多橋溝道型晶體管，
其中所述多橋溝道型晶體管包括：所述襯底上的納米片堆疊結(jié)構(gòu)；所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)上的第一柵介電層；以及所述第一柵介電層上的第一柵電極；以及
所述襯底的第二區(qū)域中的鰭型晶體管，
其中所述鰭型晶體管包括：所述襯底上的有源鰭；所述有源鰭上的第二柵介電層；以及所述第二柵介電層上的第二柵電極，
其中所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)的寬度大于所述有源鰭的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述有源鰭包括彼此間隔開的第一有源鰭和第二有源鰭，并且所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)的寬度大于或等于所述第一有源鰭和所述第二有源鰭的寬度之和。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述有源鰭在第一方向上延伸，所述第一柵電極和所述第二柵電極在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，
其中所述第一柵電極在所述第一方向上的寬度小于所述第二柵電極在所述第一方向上的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中柵間隔物形成在所述第一柵電極的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)在垂直于所述襯底的表面的方向上處于與所述有源鰭相同的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述有源鰭包括單個(gè)半導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述有源鰭包括多個(gè)堆疊的半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中蓋層覆蓋所述多個(gè)堆疊的半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述有源鰭包括與所述襯底不同的主體。
10.一種集成電路半導(dǎo)體器件，包括：
襯底的第一區(qū)域中的多橋溝道型晶體管，
其中所述多橋溝道型晶體管包括：在所述襯底上在第一方向上延伸的第一場子鰭；所述第一場子鰭上的納米片堆疊結(jié)構(gòu)；所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)上的第一柵介電層；以及在所述第一柵介電層上在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第一柵電極；以及
所述襯底的第二區(qū)域中的鰭型晶體管，
其中所述鰭型晶體管包括：在所述第一方向上延伸的第二場子鰭；在所述第二場子鰭上在所述第一方向上延伸的有源鰭；所述有源鰭上的第二柵介電層；以及在所述第二柵介電層上在所述第二方向上延伸的第二柵電極，
其中所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)在所述第二方向上的寬度大于所述有源鰭在所述第二方向上的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述有源鰭包括彼此間隔開的兩個(gè)有源鰭，其中所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)在所述第二方向上的寬度大于或等于所述兩個(gè)有源鰭在所述第二方向上的寬度之和。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述第一柵電極在所述第一方向上的寬度小于所述第二柵電極在所述第一方向上的寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)在垂直于所述襯底的表面的第三方向上處于與所述有源鰭相同的高度。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述第二場子鰭包括與所述襯底相同的主體，并且所述有源鰭包括與所述第二場子鰭不同的主體。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路半導(dǎo)體器件，其中所述納米片堆疊結(jié)構(gòu)形成在所述第一場子鰭和所述第一柵電極彼此交叉的區(qū)域中。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
