[發明專利]一種提高芯片讀寫速度的方法、智能終端及存儲介質有效
| 申請號： | 202010305622.0 | 申請日： | 2020-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN111563054B | 公開（公告）日： | 2023-05-30 |
| 發明（設計）人： | 向衛東;孟慶曉;吳閩華 | 申請（專利權）人： | 深圳震有科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F12/0804 | 分類號： | G06F12/0804;G06F12/0893 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凱凱;陳專 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市南山區粵海街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 芯片 讀寫 速度 方法 智能 終端 存儲 介質 | ||
1.一種提高芯片讀寫速度的方法，其特征在于，所述提高芯片讀寫速度的方法包括：
加載Flash芯片驅動時，申請預設個數存儲塊大小的內存作為Flash芯片存儲塊存儲數據的緩存；
請求讀寫存儲塊后，更新緩存中存儲塊的訪問時間，并讀寫緩存中存儲塊的數據；
所述請求讀寫存儲塊后，更新緩存中存儲塊的訪問時間，并讀寫緩存中存儲塊的數據，具體包括：
請求讀寫第一存儲塊，判斷第一存儲塊的數據是否在緩存中；
當是時，更新緩存中第一存儲塊的訪問時間，并讀寫緩存中第一存儲塊的數據；
當否時，獲取緩存中最長時間未被訪問過的第二存儲塊的緩存，擦除Flash芯片第二存儲塊的數據，將第二存儲塊在緩存中的數據寫入Flash芯片第二存儲塊中，釋放第二存儲塊占用的緩存，讀取Flash芯片的第一存儲塊的數據到釋放的緩存中，更新緩存中第一存儲塊的訪問時間，并讀寫緩存中第一存儲塊的數據；
每隔預設時間檢查一次存儲塊的緩存數據是否有改動，如果有則寫入到對應的Flash芯片的存儲塊中。
2.根據權利要求1所述的提高芯片讀寫速度的方法，其特征在于，所述預設個數為8個，表示緩存中最多可以同時容納8個存儲塊的數據。
3.根據權利要求1所述的提高芯片讀寫速度的方法，其特征在于，所述請求讀寫存儲塊后，更新緩存中存儲塊的訪問時間，并讀寫緩存中存儲塊的數據，還包括：
在一段時間內連續讀寫第一存儲塊的數據，當緩存中已有第一存儲塊的數據時，直接更新緩存中第一存儲塊的訪問時間，并讀寫緩存中第一存儲塊的數據。
4.根據權利要求1所述的提高芯片讀寫速度的方法，其特征在于，所述預設時間為60秒。
5.根據權利要求1所述的提高芯片讀寫速度的方法，其特征在于，緩存的讀寫速度大于存儲塊的讀寫速度。
6.一種智能終端，其特征在于，所述智能終端包括：存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的提高芯片讀寫速度的程序，所述提高芯片讀寫速度的程序被所述處理器執行時實現如權利要求1-5任一項所述的提高芯片讀寫速度的方法的步驟。
7.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質存儲有提高芯片讀寫速度的程序，所述提高芯片讀寫速度的程序被處理器執行時實現如權利要求1-5任一項所述的提高芯片讀寫速度的方法的步驟。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳震有科技股份有限公司，未經深圳震有科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010305622.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
