[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高芯片讀寫(xiě)速度的方法、智能終端及存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010305622.0
• 申請(qǐng)日: 2020-04-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111563054B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 向衛(wèi)東;孟慶曉;吳閩華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳震有科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F12/0804
• 分類(lèi)號(hào): G06F12/0804;G06F12/0893
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 徐凱凱;陳專(zhuān)

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高芯片讀寫(xiě)速度的方法、智能終端及存儲(chǔ)介質(zhì)，所述方法包括：加載Flash芯片驅(qū)動(dòng)時(shí)，申請(qǐng)預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)存儲(chǔ)塊大小的內(nèi)存作為Flash芯片存儲(chǔ)塊存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的緩存；請(qǐng)求讀寫(xiě)存儲(chǔ)塊后，更新緩存中存儲(chǔ)塊的訪問(wèn)時(shí)間，并讀寫(xiě)緩存中存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)；每隔預(yù)設(shè)時(shí)間檢查一次存儲(chǔ)塊的緩存數(shù)據(jù)是否有改動(dòng)，如果有則寫(xiě)入到對(duì)應(yīng)的Flash芯片的存儲(chǔ)塊中。本發(fā)明使用緩存替代讀寫(xiě)Flash芯片的存儲(chǔ)塊，因?yàn)榫彺娴淖x寫(xiě)速度很快，所以提高了讀寫(xiě)速度，對(duì)于實(shí)際中經(jīng)常發(fā)生的連續(xù)讀寫(xiě)同一個(gè)存儲(chǔ)塊數(shù)據(jù)的場(chǎng)景，優(yōu)化去掉連續(xù)讀寫(xiě)過(guò)程中的不必要的步驟，進(jìn)一步提高了讀寫(xiě)的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提高芯片讀寫(xiě)速度的方法、智能終端及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

Flash芯片是一種有獨(dú)特特性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片，F(xiàn)lash芯片失電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，F(xiàn)lash芯片內(nèi)部的存儲(chǔ)空間分成若干個(gè)大小相等的存儲(chǔ)塊，通常每個(gè)存儲(chǔ)塊有128K字節(jié)大小，一個(gè)Flash存儲(chǔ)芯片有數(shù)百甚至上千個(gè)存儲(chǔ)塊。在往某個(gè)存儲(chǔ)塊寫(xiě)入數(shù)據(jù)之前需要擦除該存儲(chǔ)塊中的數(shù)據(jù)，并不能直接覆蓋式的寫(xiě)入。所以Flash芯片的數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)塊的過(guò)程比較繁瑣，首先需要完整的讀出這個(gè)存儲(chǔ)塊中的數(shù)據(jù)到內(nèi)存中，在內(nèi)存中的存儲(chǔ)塊舊數(shù)據(jù)上編輯新數(shù)據(jù)；然后擦除芯片上該存儲(chǔ)塊的所有數(shù)據(jù)，最后把內(nèi)存中存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)一起寫(xiě)入芯片上的這個(gè)存儲(chǔ)塊。

每次寫(xiě)入數(shù)據(jù)到Flash芯片都額外需要一次讀出數(shù)據(jù)和一次擦除數(shù)據(jù)的操作，降低了數(shù)據(jù)寫(xiě)入的效率。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種提高芯片讀寫(xiě)速度的方法、智能終端及存儲(chǔ)介質(zhì)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中每次寫(xiě)入數(shù)據(jù)到Flash芯片都額外需要一次讀出數(shù)據(jù)和一次擦除數(shù)據(jù)的操作，降低了數(shù)據(jù)寫(xiě)入的效率的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種提高芯片讀寫(xiě)速度的方法，所述提高芯片讀寫(xiě)速度的方法包括如下步驟：

加載Flash芯片驅(qū)動(dòng)時(shí)，申請(qǐng)預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)存儲(chǔ)塊大小的內(nèi)存作為Flash芯片存儲(chǔ)塊存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的緩存；

請(qǐng)求讀寫(xiě)存儲(chǔ)塊后，更新緩存中存儲(chǔ)塊的訪問(wèn)時(shí)間，并讀寫(xiě)緩存中存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)；

每隔預(yù)設(shè)時(shí)間檢查一次存儲(chǔ)塊的緩存數(shù)據(jù)是否有改動(dòng)，如果有則寫(xiě)入到對(duì)應(yīng)的Flash芯片的存儲(chǔ)塊中。

可選地，所述的提高芯片讀寫(xiě)速度的方法，其中，所述預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)為8個(gè)，表示緩存中最多可以同時(shí)容納8個(gè)存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)。

可選地，所述的提高芯片讀寫(xiě)速度的方法，其中，所述請(qǐng)求讀寫(xiě)存儲(chǔ)塊后，更新緩存中存儲(chǔ)塊的訪問(wèn)時(shí)間，并讀寫(xiě)緩存中存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)，具體包括：

請(qǐng)求讀寫(xiě)第一存儲(chǔ)塊，判斷第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)是否在緩存中；

當(dāng)是時(shí)，更新緩存中第一存儲(chǔ)塊的訪問(wèn)時(shí)間，并讀寫(xiě)緩存中第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)；

當(dāng)否時(shí)，獲取緩存中最長(zhǎng)時(shí)間未被訪問(wèn)過(guò)的第二存儲(chǔ)塊的緩存，擦除Flash芯片第二存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)，將第二存儲(chǔ)塊在緩存中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入Flash芯片第二存儲(chǔ)塊中，釋放第二存儲(chǔ)塊占用的緩存，讀取Flash芯片的第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)到釋放的緩存中，更新緩存中第一存儲(chǔ)塊的訪問(wèn)時(shí)間，并讀寫(xiě)緩存中第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)。

可選地，所述的提高芯片讀寫(xiě)速度的方法，其中，所述請(qǐng)求讀寫(xiě)存儲(chǔ)塊后，更新緩存中存儲(chǔ)塊的訪問(wèn)時(shí)間，并讀寫(xiě)緩存中存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)，還包括：

在一段時(shí)間內(nèi)連續(xù)讀寫(xiě)第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)，當(dāng)緩存中已有第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)時(shí)，直接更新緩存中第一存儲(chǔ)塊的訪問(wèn)時(shí)間，并讀寫(xiě)緩存中第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)。

可選地，所述的提高芯片讀寫(xiě)速度的方法，其中，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為60秒。

可選地，所述的提高芯片讀寫(xiě)速度的方法，其中，緩存的讀寫(xiě)速度大于存儲(chǔ)塊的讀寫(xiě)速度。