[發(fā)明專利]恒流電路及半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010304850.6
• 申請日: 2020-04-17
• 公開（公告）號: CN111831049A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 挽地友生;深井健太郎;飛岡孝明;小川洋平
• 申請（專利權(quán)）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: G05F3/24
• 分類號: G05F3/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜冰

一種恒流電路，具備漏極與恒流輸出端子連接的耗盡型NMOS晶體管和設(shè)置在NMOS晶體管與接地端子之間的電阻元件，耗盡型NMOS晶體管由并聯(lián)連接且以電流方向相差90度的方式配置的耗盡型第一及第二NMOS晶體管構(gòu)成，電阻元件由以電流方向相差90度的方式配置的第一及第二電阻構(gòu)成。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及恒流電路及具備該恒流電路的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

以往，已知如下的恒流電路：具備與耗盡型MOS晶體管串聯(lián)的電阻，即使在制造工序中MOS晶體管的閾值變動，也能夠得到穩(wěn)定的恒流（例如參照專利文獻(xiàn)1）。

【現(xiàn)有技術(shù)文件】

【專利文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)1】日本特開平11-194844號公報。

發(fā)明內(nèi)容

【發(fā)明要解決的課題】

然而，在以往的恒流電路中，針對制造工序中MOS晶體管的特性偏差來管理電流值的精度，但是沒有針對在被密封于樹脂封裝時施加應(yīng)力而電流值的精度等特性發(fā)生偏移的情況進(jìn)行考慮。

本發(fā)明的目的在于提供能夠針對被密封于樹脂封裝時的應(yīng)力來管理恒流的精度的恒流電路。

【解決課題的手段】

本發(fā)明的實施例涉及的恒流電路的特征在于：具備漏極與恒流輸出端子連接的耗盡型NMOS晶體管和設(shè)置在所述NMOS晶體管與接地端子之間的電阻元件，所述耗盡型NMOS晶體管由并聯(lián)連接且以電流方向成90度的方式配置的耗盡型第一及第二NMOS晶體管構(gòu)成，所述電阻元件由以電流方向成90度的方式配置的第一及第二電阻構(gòu)成。

【發(fā)明效果】

根據(jù)本發(fā)明的恒流電路，由于用并聯(lián)連接且以電流方向成90度的方式配置的2個耗盡型NMOS晶體管構(gòu)成耗盡型NMOS晶體管，所以能夠針對被密封于樹脂封裝時的應(yīng)力容易地管理恒流值。

【附圖說明】

【圖1】是示出本發(fā)明的實施方式的恒流電路的一個示例的電路圖。

【圖2】是示出本實施方式的恒流電路的其他示例的電路圖。

【圖3】是示出本實施方式的恒流電路的其他示例的電路圖。

【圖4】是示出本實施方式的恒流電路的其他示例的電路圖。

【具體實施方式】

以下，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。

圖1是示出本發(fā)明的實施方式的恒流電路的一個示例的電路圖。

恒流電路100具備耗盡型NMOS晶體管11、耗盡型NMOS晶體管12、電阻21和電阻22。

關(guān)于NMOS晶體管11和NMOS晶體管12，漏極都與電流輸出端子2連接，柵極都與接地端子1連接，源極都與電阻21的一端連接。即，NMOS晶體管11和NMOS晶體管12并聯(lián)地電連接。電阻22的一端與電阻21的另一端連接，而另一端與接地端子1連接。

NMOS晶體管11和NMOS晶體管12在半導(dǎo)體基板上以電流流動的方向、即漏極-源極方向成90度的方式配置。同樣地，電阻21和電阻22以電流流動的方向成90度的方式配置。在此，將NMOS晶體管11和電阻21的電流流動的方向作為x方向（第一方向），將NMOS晶體管12和電阻22的電流流動的方向作為y方向（第二方向）。

關(guān)于如上述那樣構(gòu)成的恒流電路100，說明特性相對于被密封于樹脂封裝時的應(yīng)力的變化。