[發明專利]恒流電路及半導體裝置在審
| 申請號： | 202010304850.6 | 申請日： | 2020-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN111831049A | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 挽地友生;深井健太郎;飛岡孝明;小川洋平 | 申請（專利權）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分類號： | G05F3/24 | 分類號： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜冰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 流電 半導體 裝置 | ||
1.一種恒流電路，該恒流電路具備漏極與恒流輸出端子連接的耗盡型NMOS晶體管；和設置在所述NMOS晶體管與接地端子之間的電阻元件，其特征在于：
所述耗盡型NMOS晶體管由耗盡型第一及第二NMOS晶體管構成，該耗盡型第一及第二NMOS晶體管并聯連接且以電流方向成90度的方式配置，
所述電阻元件由第一及第二電阻構成，該第一及第二電阻以電流方向成90度的方式配置。
2.如權利要求1所述的恒流電路，其特征在于：
所述第一電阻和所述第二電阻在所述第一及第二NMOS晶體管的源極與接地端子之間串聯連接。
3.如權利要求1所述的恒流電路，其特征在于：
所述第一電阻和所述第二電阻在所述第一及第二NMOS晶體管的源極與接地端子之間并聯連接。
4.一種恒流電路，該恒流電路具備漏極與恒流輸出端子連接的耗盡型NMOS晶體管和設置在所述NMOS晶體管與接地端子之間的電阻元件，其特征在于：
所述耗盡型NMOS晶體管由耗盡型第一及第二NMOS晶體管構成，該耗盡型第一及第二NMOS晶體管柵極共同連接且以電流方向成90度的方式配置，
所述電阻元件由第一及第二電阻構成，該第一及第二電阻以電流方向成90度的方式配置，
所述第一電阻在所述第一NMOS晶體管的源極與接地端子之間連接，
所述第二電阻在所述第二NMOS晶體管的源極與接地端子之間連接。
5.如權利要求4所述的恒流電路，其特征在于：
所述第一電阻以與所述第一NMOS晶體管電流方向相同的方式配置，
所述第二電阻以與所述第二NMOS晶體管電流方向相同的方式配置。
6.如權利要求4所述的恒流電路，其特征在于：
所述第一電阻以與所述第一NMOS晶體管電流方向成90度的方式配置，
所述第二電阻以與所述第二NMOS晶體管電流方向成90度的方式配置。
7.一種半導體裝置，具備如權利要求1至6中任一項所述的恒流電路。
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