[發明專利]一種反熔絲電路在審
| 申請號： | 202010295612.3 | 申請日： | 2020-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN113540045A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 詹奕鵬;馮玲;許玉媛 | 申請（專利權）人： | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/62 | 分類號： | H01L23/62;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 反熔絲 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種反熔絲電路，其特征在于，其包括：
多個晶體管；
多個電容，其中兩個所述晶體管及一個所述電容串聯構成一反熔絲單元，多個所述反熔絲單元形成一反熔絲陣列；
限流晶體管，其一端串聯于所述反熔絲陣列的一端與所述電容連接；
控制電路，連接所述限流晶體管的另一端。
2.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述限流晶體管的阻值介于100歐姆至10000歐姆之間。
3.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述限流晶體管包括輸入輸出金屬氧化物半導體晶體管。
4.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述限流晶體管包括核心金屬氧化物半導體晶體管。
5.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述限流晶體管包括雙擴散金屬氧化物半導體晶體管。
6.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述限流晶體管包括N型金屬氧化物半導體晶體管或P型金屬氧化物半導體晶體管。
7.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述反熔絲陣列至少包括兩個所述反熔絲單元。
8.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述反熔絲單元至少包括一個所述電容。
9.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述反熔絲單元至少包括一個所述晶體管。
10.根據權利要求1所述的反熔絲電路，其特征在于，所述反熔絲電路至少包括一個所述限流晶體管。
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