[發明專利]加工裝置和被加工物的加工方法在審
| 申請號: | 202010294889.4 | 申請日: | 2020-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN111834254A | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發明(設計)人: | 增田幸容;小田中健太郎 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/78;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 裝置 方法 | ||
提供加工裝置和被加工物的加工方法,能夠觀察卡盤工作臺所保持的被加工物的下表面側且能夠實現裝置的尺寸的縮小化。該加工裝置具有:卡盤工作臺,其利用保持面對被加工物進行保持;加工單元,其對卡盤工作臺所保持的被加工物進行加工;移動機構,其使卡盤工作臺和加工單元沿著與卡盤工作臺的保持面平行的方向相對地移動;角度控制機構,其設置于移動機構上且設置于卡盤工作臺的下側,對卡盤工作臺的角度進行控制;以及拍攝單元,其對卡盤工作臺所保持的被加工物進行拍攝,卡盤工作臺包含:保持部件,其由透明體構成,對被加工物進行保持;以及支承部件,其與角度控制機構連接,對保持部件的一部分進行支承。
技術領域
本發明涉及對被加工物進行加工的加工裝置和使用該加工裝置的被加工物的加工方法。
背景技術
在器件芯片的制造工序中,使用在由分割預定線(間隔道)劃分的多個區域內分別形成有IC(Integrated Circuit,集成電路)、LSI(Large Scale Integration,大規模集成)等器件的晶片。通過將該晶片沿著分割預定線分割,得到分別具有器件的多個器件芯片。
在晶片的分割中例如使用切削裝置,該切削裝置具有:卡盤工作臺,其對晶片進行保持;以及加工單元(切削單元),其安裝有對卡盤工作臺所保持的晶片進行切削的圓環狀的切削刀具。使切削刀具旋轉而切入至晶片,從而將晶片分割成多個器件芯片。
另外,近年來,也采用使用激光加工裝置對晶片進行分割的方法。激光加工裝置具有:卡盤工作臺,其對晶片進行保持;以及加工單元(激光照射單元),其朝向卡盤工作臺所保持的晶片照射激光束而對晶片進行加工。
例如提出了如下的方法:使對于晶片具有透過性的激光束會聚至晶片的內部,在晶片的內部沿著分割預定線形成被改質的區域(改質層)。形成有該改質層的區域比晶片的其他區域脆。因此,當對形成有改質層的晶片賦予外力時,以改質層為起點而將晶片沿著分割預定線分割。
在利用以上述的切削裝置或激光加工裝置為代表的加工裝置對晶片進行加工時,在將晶片配置于卡盤工作臺的保持面上之后,通過相機等拍攝單元對形成有器件的晶片的正面側進行拍攝,從而檢測晶片的要加工的區域(被加工區域)的位置。并且,根據所檢測的被加工區域的位置,實施調節晶片和加工單元的位置關系的對準。
另外,根據加工的內容,有時在晶片的正面側與卡盤工作臺的保持面對置、晶片的背面側向上方露出的狀態下實施加工。在該情況下,晶片的正面側(下表面側)被卡盤工作臺的保持面覆蓋,因此難以通過拍攝單元拍攝晶片的正面側。其結果是,無法根據形成于晶片的正面側的器件的位置等而檢測被加工區域。
因此,提出了即使在形成有器件的晶片的正面側被卡盤工作臺的保持面覆蓋的狀態下也能夠觀察晶片的正面側的加工裝置。例如在專利文獻1中公開了具有照射透過晶片的紅外線的紅外線燈的切削裝置。在該切削裝置中,從紅外線燈對晶片的背面側照射的紅外線透過晶片而到達晶片的正面側。并且,對在晶片的正面側反射的紅外線進行檢測而觀察晶片的正面側的圖案。
另外,在專利文獻2和專利文獻3中公開了一種激光加工裝置,其具有作為透明的部件的卡盤工作臺和配置于卡盤工作臺的下側的拍攝單元。在該激光加工裝置中,在晶片的正面側被卡盤工作臺的保持面覆蓋的情況下,也能夠從晶片的下側隔著透明的卡盤工作臺而拍攝晶片的正面側。
專利文獻1:日本特開平6-232255號公報
專利文獻2:日本特開2010-82644號公報
專利文獻3:日本特開2010-87141號公報
當使用上述的具有紅外線燈的切削裝置時,即使在晶片的正面側被卡盤工作臺的保持面覆蓋的情況下,也能夠對晶片的正面側(下表面側)進行拍攝,并根據形成于晶片的正面側的器件的位置等而檢測被加工區域。但是,例如在晶片的背面側或內部形成有不透過紅外線的層(金屬層等)的情況下,會阻礙晶片的正面側的拍攝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





