[發(fā)明專利]一種圖形化外延生長的設備結構

在審

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• 申請日: 2020-04-13
• 公開（公告）號: CN111364019A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 宣榮衛(wèi);呂俊
• 申請（專利權）人: 艾華（無錫）半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/56;C23C14/22;C23C14/58;H01L21/67;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 連云港聯(lián)創(chuàng)專利代理事務所(特殊普通合伙) 32330
• 代理人: 劉剛

本發(fā)明涉及圖形化功能層制備技術領域，且公開了一種圖形化外延生長的設備結構，包括真空腔室，所述真空腔室一端設置有供氣管，且所述供氣管與所述真空腔室固定連接，所述供氣管遠離所述真空腔室一端設置有真空泵，且所述真空泵與所述供氣管固定連接。該一種圖形化外延生長的設備結構，通過設置真空腔室，將晶圓置于真空腔室，有利于功能膜層的均勻性，同時極大的減少污染提高成品率，激光發(fā)生器通過激光窗口向真空腔室內部照射，激光窗口允許激光通過并照射在晶圓的表面，激光發(fā)生器產生的激光通過光學聚焦系統(tǒng)形成納米尺度光斑，使得裝置與3D打印機相比可以打印納米級圖案，可應用在集成電路制備。

技術領域

本發(fā)明涉及圖形化功能層制備技術領域，具體為一種圖形化外延生長的設備結構。

背景技術

集成電路是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構，其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。

目前，現(xiàn)有的3D打印機是利用粉末溶膠做原料逐層打印的方式構造物體的設備，小到牙齒大到建筑設施都可制造，然而在半導體集成電路制造方面圖形化尺寸降到了納米量級，3D打印無法施展，納米尺度的打印設備尚未空白，因此需要對該圖形化功能層進行改進。

發(fā)明內容

針對現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明提供了一種圖形化外延生長的設備結構，具備可以打印納米級圖案，可應用在集成電路制備和可直接“打印”圖形化功能層的優(yōu)點，解決了現(xiàn)有的3D打印機是利用粉末溶膠做原料逐層打印的方式構造物體的設備，小到牙齒大到建筑設施都可制造，然而在半導體集成電路制造方面圖形化尺寸降到了納米量級，3D打印無法施展，納米尺度的打印設備尚未空白，因此需要對該圖形化功能層進行改進的問題。

本發(fā)明提供如下技術方案：一種圖形化外延生長的設備結構，包括真空腔室，所述真空腔室一端設置有供氣管，且所述供氣管與所述真空腔室固定連接，所述供氣管遠離所述真空腔室一端設置有真空泵，且所述真空泵與所述供氣管固定連接，所述真空腔室外側設置有激光窗口，且所述激光窗口與所述真空腔室固定連接，所述真空腔室右上方設置有操作面板，且所述操作面板與所述真空腔室固定連接，所述真空腔室內部底端設置有加熱室，且所述加熱室與所述真空腔室固定連接，所述加熱室上表面設置有加熱臺面，且所述加熱臺面與所述加熱室固定連接，所述加熱臺面上表面設置有晶圓，且所述晶圓與所述加熱臺面固定連接，所述真空腔室內側壁設置有聚光鏡，且所述聚光鏡與所述真空腔室固定連接。

優(yōu)選的，所述真空腔室內部真空度可時時調控，調控的范圍為零點一至一萬帕。

優(yōu)選的，所述真空腔室的內部設置有高純度惰性氣體或還原性氣體，所述惰性氣體為氮氣或者氬氣，所述還原性氣體為氫氣。

優(yōu)選的，所述供氣管內部設置前驅體，所述前驅體為一種或兩種或多種氣態(tài)化學品。

優(yōu)選的，所述驅體是兩種以上化學品時，可根據(jù)需要同時或交替通入所述真空腔室的內部。

優(yōu)選的，所述激光窗口設置在所述晶圓和振鏡之間，所述激光窗口的材料為高純石英或玻璃或石英晶體或氟化鈉晶體等，優(yōu)選石英玻璃。

與現(xiàn)有技術對比，本發(fā)明具備以下有益效果：

1、該一種圖形化外延生長的設備結構，通過設置真空腔室，將晶圓置于真空腔室，有利于功能膜層的均勻性，同時極大的減少污染提高成品率，激光發(fā)生器通過激光窗口向真空腔室內部照射，激光窗口允許激光通過并照射在晶圓的表面，激光發(fā)生器產生的激光通過光學聚焦系統(tǒng)形成納米尺度光斑，使得裝置與3D打印機相比可以打印納米級圖案，可應用在集成電路制備，因此增加了該圖形化外延生長的設備結構的實用性。