[發明專利]電壓監控裝置

在審

• 申請號: 202010280548.1
• 申請日: 2020-04-10
• 公開（公告）號: CN111813211A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 寺崎文彥
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: G06F1/3206
• 分類號: G06F1/3206
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 龔詩靖

本發明提供一種即使在低電壓區域也能穩定地動作的電壓監控裝置。電壓監控裝置(1)具有：內部電壓產生部(40)，將輸入電壓(VIN)降壓而產生內部電壓(Vreg)；輸入電壓監控部(30)，從內部電壓產生部(40)的輸出端接受電力供給而動作；開關部(50)，設置在輸入電壓(VIN)的輸入端與內部電壓產生部(40)的輸出端之間；及開關驅動部(60)，在輸入電壓(VIN)低于閾值電壓時(例如，Vy＜Vref時)，使開關部(50)導通，在輸入電壓(VIN)高于閾值電壓時(例如，Vy＞Vref時)，使開關部(50)斷開。此外，所述閾值電壓例如宜預先設定為：在內部電壓產生部(40)變為能輸出至少比輸入電壓監控部(30)的最低動作電壓高的內部電壓(Vreg)的狀態后，使開關部(50)斷開。

技術領域

本說明書中所公開的發明涉及一種電壓監控裝置。

背景技術

監控輸入電壓是否達到指定閾值的電壓監控裝置(例如重置IC(IntegratedCircuit，集成電路))廣泛地普遍用于各種應用程序。

此外，作為與所述內容相關的現有技術的一例，可列舉專利文獻1。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2018-117235號公報

發明內容

[發明要解決的問題]

然而，在現有的電壓監控裝置(尤其是最大輸入電壓高的高耐壓品)中，關于低電壓區域中的穩定動作，有改善的余地。

本說明書中所公開的發明鑒于本案發明者發現的所述問題，目的在于提供一種即使在低電壓區域中也能穩定地動作的電壓監控裝置。

[解決問題的技術手段]

本說明書中所公開的電壓監控裝置係如下構成(第1構成)，即，具有：內部電壓產生部，將輸入電壓降壓而產生內部電壓；輸入電壓監控部，從所述內部電壓產生部的輸出端接受電力供給而動作；開關部，設置在所述輸入電壓的輸入端與所述內部電壓產生部的輸出端之間；及開關驅動部，在所述輸入電壓低于閾值電壓時，使所述開關部導通，在所述輸入電壓高于所述閾值電壓時，使所述開關部斷開。

此外，根據包含所述第1構成的電壓監控裝置，宜設為如下構成(第2構成)，即，所述閾值電壓被設定為：在所述內部電壓產生部變為能輸出至少比所述輸入電壓監控部的最低動作電壓高的所述內部電壓的狀態之后，使所述開關部斷開。

另外，根據包含所述第1或第2構成的電壓監控裝置，宜設為如下構成(第3構成)，即，所述閾值電壓被設定為：在所述輸入電壓超過所述輸入電壓監控部的耐壓之前，使所述開關部斷開。

另外，根據包含所述第1至第3中的任一構成的電壓監控裝置，宜設為如下構成(第4構成)，即，所述開關部包含：PMOSFET[P-channel type metal oxide semiconductorfield effect transistor，P通道型金屬氧化物半導體場效應管]，源極連接在所述輸入電壓的輸入端，漏極連接在所述內部電壓產生部的輸出端；NMOSFET[N-channel typeMOSFET，N通道型金屬氧化物半導體場效應管]，漏極連接在所述PMOSFET的柵極，源極連接在接地端，柵極連接在所述開關驅動部；及電流源，第1端連接在所述輸入電壓的輸入端，第2端連接在所述PMOSFET的柵極。

另外，根據包含所述第4構成的電壓監控裝置，宜設為如下構成(第5構成)，即，所述閾值電壓被設定為：在所述輸入電壓超過所述PMOSFET的柵極-源極間耐壓之前，使所述NMOSFET斷開。