[發明專利]電壓監控裝置

在審

• 申請號: 202010280548.1
• 申請日: 2020-04-10
• 公開（公告）號: CN111813211A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 寺崎文彥
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: G06F1/3206
• 分類號: G06F1/3206
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 龔詩靖

1.一種電壓監控裝置，其特征在于具有：

內部電壓產生部，將輸入電壓降壓而產生內部電壓；

輸入電壓監控部，從所述內部電壓產生部的輸出端接受電力供給而動作；

開關部，設置在所述輸入電壓的輸入端與所述內部電壓產生部的輸出端之間；及

開關驅動部，在所述輸入電壓低于閾值電壓時，使所述開關部導通，在所述輸入電壓高于所述閾值電壓時，使所述開關部斷開。

2.根據權利要求1所述的電壓監控裝置，其特征在于，所述閾值電壓被設定為：在所述內部電壓產生部變為能輸出至少比所述輸入電壓監控部的最低動作電壓高的所述內部電壓的狀態后，使所述開關部斷開。

3.根據權利要求1或2所述的電壓監控裝置，其特征在于，所述閾值電壓被設定為：在所述輸入電壓超過所述輸入電壓監控部的耐壓之前，使所述開關部斷開。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的電壓監控裝置，其特征在于，所述開關部包含：

PMOSFET，源極連接在所述輸入電壓的輸入端，漏極連接在所述內部電壓產生部的輸出端；

NMOSFET，漏極連接在所述PMOSFET的柵極，源極連接在接地端，柵極連接在所述開關驅動部；及

電流源，第1端連接在所述輸入電壓的輸入端，第2端連接在所述PMOSFET的柵極。

5.根據權利要求4所述的電壓監控裝置，其特征在于，所述閾值電壓被設定為：在所述輸入電壓超過所述PMOSFET的柵極-源極間耐壓之前，使所述NMOSFET斷開。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的電壓監控裝置，其特征在于，所述輸入電壓監控部包含：

第1比較器，從所述內部電壓產生部的輸出端接受電力供給而動作，比較對應于所述輸入電壓的第1分壓電壓與指定的基準電壓，而產生第1比較信號；及

輸出晶體管，根據所述第1比較信號而導通/斷開。

7.根據權利要求6所述的電壓監控裝置，其特征在于，所述輸入電壓監控部還包含對所述第1比較信號賦予延遲的延遲部。

8.根據權利要求6或7所述的電壓監控裝置，其特征在于，所述開關驅動部包含第2比較器，

所述第2比較器從所述內部電壓產生部的輸出端接受電力供給而動作，比較對應于所述輸入電壓的第2分壓電壓與所述基準電壓，而產生用來驅動所述開關部的第2比較信號。

9.根據權利要求8所述的電壓監控裝置，其特征在于，還具有分壓電壓產生部，所述分壓電壓產生部將所述輸入電壓分壓，而產生所述第1分壓電壓及所述第2分壓電壓。

10.根據權利要求9所述的電壓監控裝置，其特征在于，所述分壓電壓產生部具備調整所述第1分壓電壓及所述第2分壓電壓中的至少一個的分壓比的功能。