[發明專利]一種晶圓清洗設備

在審

• 申請號: 202010267527.6
• 申請日: 2020-04-07
• 公開（公告）號: CN111446153A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 龐浩;尹影;徐俊成;江偉
• 申請（專利權）人: 北京爍科精微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 劉林濤

本發明提供了一種晶圓清洗設備，屬于半導體制造設備技術領域，包括：干燥室、等離子清洗腔室和傳輸組件，所述傳輸組件設置在所述等離子清洗腔室的一側；所述傳輸組件具有適于將晶圓從干燥室移動至等離子清洗腔室的真空吸盤；所述等離子清洗腔室上連接有真空系統，所述真空系統分別適于對所述等離子清洗腔室和所述真空吸盤進行抽真空操作；本發明提供的晶圓清洗設備，傳輸組件適于將晶圓從干燥室移動至等離子清洗腔室，傳輸組件中用于抓取晶圓的部位為真空吸盤，通過抽取真空使晶圓附著在真空吸盤上，并通過機械手對晶圓進行移動，避免了機械手對晶圓的卡合操作和卡合操作中對晶圓的機械損害。

技術領域

本發明涉及半導體制造設備技術領域，具體涉及一種晶圓清洗設備。

背景技術

在制造工藝過程中，CMP(化學機械拋光)設備主要用于對晶圓在膜沉積工藝后的微觀粗糙表面進行全局平坦化處理，以便進行后續的半導體工藝過程。經過CMP設備處理后的晶圓需要進行清洗，清洗設備主要有以下功能模塊：晶圓傳輸單元，兆聲清洗單元，刷洗清洗單元，化學液供給單元等。過程中首先由兆聲發生器對清洗化學溶液產生震動，槽體內的溫度和化學液濃度在適宜范圍，從而確保清洗效果。再由刷洗單元配合清洗化學溶液對晶圓進行兩道刷洗工藝。在清洗設備中移動晶圓一般采用機械手卡合或抓取的方式，由于晶圓的厚度較薄，機械手的抓取部易對晶圓造成機械損害。

發明內容

因此，本發明提供一種機械手不會對晶圓造成機械損害的晶圓清洗設備。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種晶圓清洗設備，包括：

干燥室、等離子清洗腔室和傳輸組件，所述傳輸組件設置在所述等離子清洗腔室的一側；

所述傳輸組件具有適于將晶圓從干燥室移動至等離子清洗腔室的真空吸盤；

所述等離子清洗腔室上連接有真空系統，所述真空系統分別適于對所述等離子清洗腔室和所述真空吸盤進行抽真空操作。

作為一種優選的技術方案，所述傳輸組件包括：

所述真空吸盤；

第一抽真空管，一端連接在所述真空吸盤上，另一端連接在所述真空系統上。

作為一種優選的技術方案，所述真空吸盤的直徑小于晶圓直徑，且所述真空吸盤上均勻分布有若干吸孔。

作為一種優選的技術方案，在真空吸盤的吸孔周圍設有橡膠墊。所述橡膠墊與所述吸孔相對應的部位設置有透氣孔。

作為一種優選的技術方案，所述傳輸組件還包括

基座；

機械手，設置在所述基座上，真空吸盤轉動安裝在機械手的一端。

作為一種優選的技術方案，還包括有架體，豎直方向具有三層，所述干燥室、等離子清洗腔室和真空系統從上至下依次設置，所述傳輸組件設置在架體一側。

作為一種優選的技術方案，所述機械手為三自由度機械手，所述三自由度機械手適于帶動所述真空吸盤沿所述架體在高度方向上進行移動。

作為一種優選的技術方案，所述等離子清洗腔室與所述真空系統之間設置有第二抽真空管。

本發明技術方案，具有如下優點：

1.本發明提供的晶圓清洗設備，傳輸組件適于將晶圓從干燥室移動至等離子清洗腔室，傳輸組件中用于抓取晶圓的部位為真空吸盤，通過抽取真空使晶圓附著在真空吸盤上，并通過機械手對晶圓進行移動，避免了機械手對晶圓的卡合操作和卡合操作中對晶圓的機械損害。

2.本發明提供的晶圓清洗設備，第一抽真空管將真空吸盤和真空系統連接在一起，第二抽真空管將等離子清洗腔室和真空系統連接在一起，使真空系統可以對真空吸盤和等離子清洗腔室進行抽真空操作。