[發(fā)明專利]一種晶圓清洗設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010267527.6 | 申請日: | 2020-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN111446153A | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龐浩;尹影;徐俊成;江偉 | 申請(專利權(quán))人: | 北京爍科精微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 劉林濤 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 清洗 設(shè)備 | ||
1.一種晶圓清洗設(shè)備,其特征在于,包括:
干燥室(1)、等離子清洗腔室(3)和傳輸組件,所述傳輸組件設(shè)置在所述等離子清洗腔室(3)的一側(cè);
所述傳輸組件具有適于將晶圓從干燥室(1)移動至等離子清洗腔室(3)的真空吸盤(10);
所述等離子清洗腔室(3)上連接有真空系統(tǒng)(6),所述真空系統(tǒng)(6)分別適于對所述等離子清洗腔室(3)和所述真空吸盤(10)進(jìn)行抽真空操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于,所述傳輸組件包括:
所述真空吸盤(10);
第一抽真空管(11),一端連接在所述真空吸盤(10)上,另一端連接在所述真空系統(tǒng)(6)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于,所述真空吸盤(10)的直徑小于晶圓直徑,且所述真空吸盤(10)上均勻分布有若干吸孔(8)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于,在真空吸盤(10)的吸孔(8)周圍設(shè)有橡膠墊(9),所述橡膠墊(9)與所述吸孔(8)相對應(yīng)的部位設(shè)置有透氣孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于,所述傳輸組件還包括
基座(5);
機(jī)械手(4),設(shè)置在所述基座(5)上,真空吸盤(10)轉(zhuǎn)動安裝在機(jī)械手(4)的一端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于,還包括有架體(2),豎直方向具有三層,所述干燥室(1)、等離子清洗腔室(3)和真空系統(tǒng)(6)從上至下依次設(shè)置,所述傳輸組件設(shè)置在架體(2)一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于,所述機(jī)械手(4)為三自由度機(jī)械手(4),所述三自由度機(jī)械手(4)適于帶動所述真空吸盤(10)沿所述架體(2)在高度方向上進(jìn)行移動。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的晶圓清洗設(shè)備,其特征在于,所述等離子清洗腔室(3)與所述真空系統(tǒng)(6)之間設(shè)置有第二抽真空管(7)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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