[發(fā)明專利]傳輸系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010260820.X | 申請日: | 2020-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN111477579A | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李明;劉隆冬;周穎 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 李梅香;張穎玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳輸 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明實施例提供了一種傳輸系統(tǒng),包括:多個晶圓載入埠、控制裝置及第一搬運裝置;其中,所述多個晶圓載入埠排列成多行并設(shè)置在第一支撐部件上,所述第一支撐部件用于設(shè)置在半導(dǎo)體機臺的入口端;所述第一搬運裝置,用于在收到所述控制裝置的第一指令后,將裝載有晶圓的晶圓傳送盒從第一暫存區(qū)域搬運至對應(yīng)的晶圓載入埠中,以使所述半導(dǎo)體機臺的抓取裝置從所述晶圓傳送盒中獲取晶圓,并將獲取的晶圓傳送至所述半導(dǎo)體機臺的反應(yīng)腔中進行半導(dǎo)體工藝處理。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種傳輸系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體的制造過程中,半導(dǎo)體機臺用于具體執(zhí)行制程中的工藝處理過程。在半導(dǎo)體制造過程中,晶圓放置在晶圓傳送盒(英文表達為Front Opening Unified Pod,簡稱FOUP),晶圓傳送盒通過傳輸系統(tǒng)運送到相應(yīng)的半導(dǎo)體機臺的入口端的指定位置。傳輸系統(tǒng)包括:搬運裝置和晶圓載入埠;其中,搬運裝置(如,空中吊運小車(英文表達為OverheadHoist Transport,簡稱為OHT))提取晶圓傳送盒,并將晶圓傳送盒搬運到相應(yīng)的半導(dǎo)體機臺入口端指定用于承載晶圓傳送盒的晶圓載入埠(英文表達為Load Port)中,之后再由半導(dǎo)體機臺內(nèi)部的抓取裝置(如,機械手)從晶圓載入埠上的晶圓傳送盒中獲取晶圓,并將獲取的晶圓傳送至所述半導(dǎo)體機臺的反應(yīng)腔中進行半導(dǎo)體工藝處理。
實際應(yīng)用中,待進行工藝處理的晶圓必須經(jīng)過晶圓載入埠進入反應(yīng)腔中進行半導(dǎo)體工藝處理。在進行工藝處理的過程中,需要將一個晶圓載入埠中承載的晶圓傳送盒的所有晶圓(如一個晶圓盒一般可以裝載25片晶圓)處理完后,再處理下一個裝載了晶圓的晶圓傳送盒。然而,有些半導(dǎo)體工藝處理(如深孔,深槽刻蝕工藝處理)的時間特別長,此時,當半導(dǎo)體機臺上所有晶圓載入埠全部被占用時,就會存在需要優(yōu)先處理的晶圓不能及時被處理的問題。相關(guān)技術(shù)中的傳輸系統(tǒng)經(jīng)常存在需要優(yōu)先處理的晶圓不能及時被處理的問題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決相關(guān)技術(shù)問題,本發(fā)明實施例提出一種傳輸系統(tǒng),至少能夠在一定程度上緩解需要優(yōu)先處理的晶圓不能及時被處理的問題。
本發(fā)明實施例提供了一種傳輸系統(tǒng),包括:多個晶圓載入埠、控制裝置及第一搬運裝置;其中,
所述多個晶圓載入埠排列成多行并設(shè)置在第一支撐部件上,所述第一支撐部件用于設(shè)置在半導(dǎo)體機臺的入口端;
所述第一搬運裝置,用于在收到所述控制裝置的第一指令后,將裝載有晶圓的晶圓傳送盒從第一暫存區(qū)域搬運至對應(yīng)的晶圓載入埠中,以使所述半導(dǎo)體機臺的抓取裝置從所述晶圓傳送盒中獲取晶圓,并將獲取的晶圓傳送至所述半導(dǎo)體機臺的反應(yīng)腔中進行半導(dǎo)體工藝處理。
上述方案中,所述多行晶圓載入埠包含第一類晶圓載入埠;所述第一類晶圓載入埠的上方設(shè)置有晶圓載入埠;所述第一類晶圓載入埠對應(yīng)的第一投影與第二投影至少存在部分重疊;所述第一投影為所述第一類晶圓載入埠在第一平面上的投影;所述第二投影為所述第一類晶圓載入埠上方設(shè)置的晶圓載入埠在所述第一平面上的投影;
所述系統(tǒng)還包括:第二搬運裝置;
所述第一搬運裝置,還用于在收到所述控制裝置的第二指令后,將所述晶圓傳送盒從所述第一暫存區(qū)域搬運至所述第二搬運裝置上;
所述第二搬運裝置,用于在收到所述控制裝置的第三指令后,將所述晶圓傳送盒搬運至對應(yīng)的第一類晶圓載入埠中。
上述方案中,所述第三指令包括:第一子指令及第二子指令;所述第二搬運裝置可活動地設(shè)置在所述第一類晶圓載入埠的上表面上,所述上表面為背離所述第一支撐部件的表面;
所述第二搬運裝置,具體用于在收到所述控制裝置的第一子指令后,從對應(yīng)的第一類晶圓載入埠中活動至第一位置;其中,位于所述第一位置處的第二搬運裝置在所述第一平面上的投影與所述第二投影不存在重疊;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





