[發(fā)明專利]改善外延片滑片的裝置及方法在審
申請?zhí)枺?/td> | 202010260219.0 | 申請日: | 2020-04-03 |
公開(公告)號: | CN111477566A | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏桂忠;陳秉克;薛宏偉;袁肇耿;仇根忠;任麗翠;任永升;霍曉陽 | 申請(專利權(quán))人: | 河北普興電子科技股份有限公司 |
主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;C30B25/12;C30B29/06 |
代理公司: | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人: | 張貴勤 |
地址: | 050200 河北省石*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 改善 外延 片滑片 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供了改善外延片滑片的裝置及方法,屬于外延片制造技術(shù)領(lǐng)域,改善外延片滑片的裝置包括基座,基座上端面設(shè)有載片槽;基座的上方設(shè)置有機(jī)械手盤,機(jī)械手盤上設(shè)置有用于負(fù)壓吸附外延片的吸氣通路,機(jī)械手盤上還設(shè)置有用于向機(jī)械手盤內(nèi)充入氣體的充氣通路;外延片在充氣通路充入的氣體壓力作用下落入所述載片槽內(nèi)。改善外延片滑片的方法采用了上述裝置。本發(fā)明提供的改善外延片滑片的裝置和方法增大了外延片與載片槽之間的摩擦力,縮短了外延片與載片槽內(nèi)的氣體排出的時(shí)間,避免了外延片在載片槽內(nèi)的滑動(dòng),提高了外延片厚度和電阻率的均勻性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于外延片制造技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,是涉及一種改善外延片滑片的裝置及方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體芯片制造中,硅外延片有著重要的地位。在實(shí)際生產(chǎn)中,化學(xué)氣相沉積技術(shù)被廣泛應(yīng)用于硅外延片的制造,其中,外延爐是制造外延片的主要設(shè)備。
目前在使用外延爐生長外延片過程中,外延爐采用機(jī)械手盤自動(dòng)將硅片裝載到基座的載片槽中,硅片在運(yùn)動(dòng)到載片槽過程中會(huì)在硅片表面沉積一層單晶硅,此層單晶硅即為外延片,外延片脫離機(jī)械手盤與載片槽表面接觸時(shí)容易在兩者中間產(chǎn)生氣模,氣模的厚度約為0.6mm,導(dǎo)致外延片和載片槽之間的摩擦力很小,外延片就容易在載片槽內(nèi)滑動(dòng)導(dǎo)致裝載錯(cuò)位,進(jìn)而導(dǎo)致外延片厚度、電阻率均勻性變差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供改善外延片滑片的裝置和方法,旨在解決外延片與載片槽表面接觸時(shí)外延片在載片槽內(nèi)滑動(dòng)導(dǎo)致的外延片厚度、電阻率均勻性差的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:提供一種改善外延片滑片的裝置,包括:
基座,上端面設(shè)有載片槽,所述基座上方設(shè)置有機(jī)械手盤,所述機(jī)械手盤上設(shè)置有用于負(fù)壓吸附外延片的吸氣通路,所述機(jī)械手盤上還設(shè)置有用于向所述機(jī)械手盤內(nèi)充入氣體的充氣通路;
外延片在所述充氣通路充入的氣體壓力作用下落入所述載片槽內(nèi)。
作為本申請另一實(shí)施例,還包括:
三通閥,分別設(shè)有出氣端、第一進(jìn)氣端和第二進(jìn)氣端,所述出氣端與所述機(jī)械手盤連通,所述第一進(jìn)氣端與所述出氣端形成所述吸氣通路,所述第二進(jìn)氣端與所述出氣端形成所述充氣通路。
作為本申請另一實(shí)施例,所述第一進(jìn)氣端的管路上安裝有文丘里真空泵。
作為本申請另一實(shí)施例,所述第一進(jìn)氣端的管路上和所述第二進(jìn)氣端的管路上分別安裝有流量調(diào)節(jié)閥。
作為本申請另一實(shí)施例,所述第一進(jìn)氣端的管路上安裝有氣閉式氣動(dòng)閥,所述第二進(jìn)氣端的管路上安裝有氣開式氣動(dòng)閥。
作為本申請另一實(shí)施例,所述氣閉式氣動(dòng)閥與所述氣開式氣動(dòng)閥通過同一氣源控制。
作為本申請另一實(shí)施例,還包括:
壓力傳感器,安裝在所述機(jī)械手盤管路上。
作為本申請另一實(shí)施例,所述充氣通路內(nèi)充有氮?dú)狻?/p>
本發(fā)明提供的改善外延片滑片的裝置的有益效果在于:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明改善外延片滑片的裝置的基座的上端面設(shè)有載片槽;基座的上方設(shè)置有機(jī)械手盤;同時(shí)在原有的氣路結(jié)構(gòu)上進(jìn)行改進(jìn),增加一個(gè)充氣通路,吸氣通路可使機(jī)械手盤內(nèi)形成負(fù)壓以使機(jī)械手盤吸附外延片,充氣通路可向機(jī)械手盤內(nèi)充入氣體,外延片在充氣通路充入的氣體壓力作用下外延片輕松從機(jī)械手盤上脫下,同時(shí)在氣體的壓力作用下增大了外延片與載片槽之間的摩擦力,縮短了外延片與載片槽內(nèi)的氣體排出的時(shí)間,使外延片不容易在載片槽內(nèi)滑動(dòng),制作的外延片厚度和電阻率都非常均勻。本發(fā)明的改善外延片滑片的裝置增大了外延片與載片槽之間的摩擦力,縮短了外延片與載片槽內(nèi)的氣體排出的時(shí)間,避免了外延片在載片槽內(nèi)的滑動(dòng),提高了外延片厚度和電阻率的均勻性。
本發(fā)明還提供改善外延片滑片的方法,包括以下步驟:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造