[發(fā)明專利]改善外延片滑片的裝置及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010260219.0 | 申請日: | 2020-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN111477566A | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏桂忠;陳秉克;薛宏偉;袁肇耿;仇根忠;任麗翠;任永升;霍曉陽 | 申請(專利權(quán))人: | 河北普興電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;C30B25/12;C30B29/06 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人: | 張貴勤 |
| 地址: | 050200 河北省石*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改善 外延 片滑片 裝置 方法 | ||
1.改善外延片滑片的裝置,其特征在于,包括:
基座,上端面設(shè)有載片槽,所述基座上方設(shè)置有機(jī)械手盤,所述機(jī)械手盤上設(shè)置有用于負(fù)壓吸附外延片的吸氣通路,所述機(jī)械手盤上還設(shè)置有用于向所述機(jī)械手盤內(nèi)充入氣體的充氣通路;
外延片在所述充氣通路充入的氣體壓力作用下落入所述載片槽內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的改善外延片滑片的裝置,其特征在于,還包括:
三通閥,分別設(shè)有出氣端、第一進(jìn)氣端和第二進(jìn)氣端,所述出氣端與所述機(jī)械手盤連通,所述第一進(jìn)氣端與所述出氣端形成所述吸氣通路,所述第二進(jìn)氣端與所述出氣端形成所述充氣通路。
3.如權(quán)利要求2所述的改善外延片滑片的裝置,其特征在于,所述第一進(jìn)氣端的管路上安裝有文丘里真空泵。
4.如權(quán)利要求3所述的改善外延片滑片的裝置,其特征在于,所述第一進(jìn)氣端的管路上和所述第二進(jìn)氣端的管路上分別安裝有流量調(diào)節(jié)閥。
5.如權(quán)利要求2所述的改善外延片滑片的裝置,其特征在于,所述第一進(jìn)氣端的管路上安裝有氣閉式氣動(dòng)閥,所述第二進(jìn)氣端的管路上安裝有氣開式氣動(dòng)閥。
6.如權(quán)利要求5所述的改善外延片滑片的裝置,其特征在于,所述氣閉式氣動(dòng)閥與所述氣開式氣動(dòng)閥通過同一氣源控制。
7.如權(quán)利要求1所述的改善外延片滑片的裝置,其特征在于,還包括:
壓力傳感器,安裝在所述機(jī)械手盤的管路上。
8.如權(quán)利要求1所述的改善外延片滑片的裝置,其特征在于,所述充氣通路內(nèi)充有氮?dú)狻?/p>
9.改善外延片滑片的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:在機(jī)械手盤內(nèi)形成負(fù)壓,以吸取外延片;
S2:機(jī)械手盤帶動(dòng)外延片移動(dòng)到基座的載片槽的上方;
S3:向機(jī)械手盤內(nèi)通入氣體,以將外延片推動(dòng)至基座的載片槽內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9所述的改善外延片滑片的方法,其特征在于,在所述步驟3)之前切斷機(jī)械手盤內(nèi)的負(fù)壓。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





