[發明專利]研磨速率的修正方法

在審

• 申請號: 202010260047.7
• 申請日: 2020-04-03
• 公開（公告）號: CN113547446A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 黃瑾;孫鵬;趙勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: B24B37/005
• 分類號: B24B37/005;B24B37/04;B24B41/00;B24B49/00;B24B53/017;B24B57/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

一種研磨速率的修正方法，包括：提供標準研磨曲線P_標以及標準平均研磨速率R_標；獲取P_標對應的標準壓力F_標，以及研磨墊整理器在研磨墊不同區域的標準停留時間T_1標～T_n標，n為大于等于1的自然數；對待修整研磨墊進行第一次測試，獲得第一研磨速率曲線P₁以及第一平均研磨速率R₁；根據F_標、R_標以及R₁獲得第一壓力F₁；根據T_1標～T_n標、P_標以及P₁，獲得研磨墊整理器在待修整研磨墊不同區域的第一停留時間T₁～T_n；采用第一壓力F₁以及第一停留時間T₁～T_n，對所述待修整研磨墊進行修整，得到修整后的研磨墊。本發明實施例提供的研磨速率的修正方法，方便快速地對研磨墊進行修整，使研磨速率曲線和研磨速率修正到理想狀態，并且提高了晶圓研磨試運行的成功率。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種研磨速率的修正方法。

背景技術

晶圓制造中，隨著制程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻(Lithography)技術對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高?；瘜W機械研磨(chemicalmechanical polish，CMP)是一種常見的用于使器件表面實現全局平坦化的工藝手段，該技術綜合了化學研磨(表面精度較高，損傷低，完整性好，不容易出現表面/亞表面損傷)和機械研磨(研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高)的優勢，可以實現納米級到原子級的表面平坦度。化學機械研磨設備通常需要使用具有研磨性和腐蝕性的研磨液(Slurry，由亞微米或納米級研磨粒和化學溶液組成)，并配合使用研磨墊(Pad)、金剛石盤(Disk，即：研磨墊整理器)、研磨頭(Head)、清洗刷(Brush)、化學清洗劑與保護劑(Chemical)等，綜合利用化學作用和機械作用，對半導體晶圓進行研磨。CMP制程根據研磨對象不同，主要分為：硅研磨、硅氧化物研磨、碳化硅研磨、鎢研磨和銅研磨等。

對于一些研磨速率對于研磨墊表面材質極其敏感的研磨液而言，為了得到比較平整的研磨效果，更換不同的研磨墊時，都需要調整研磨條件，來彌補研磨墊造成的研磨速率的差異。目前通常采用調整研磨頭壓力的方式來調整研磨速率，但是每次對壓力進行調整費時費力，且需要進行多片晶圓的試運行，不僅試運行的成功率較低，周期較長，且容易造成晶圓的浪費。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種研磨速率的修正方法，在每次更換研磨墊后可以快速地將研磨速率曲線以及研磨速率調整到理想狀態，大大提高試運行的成功率，縮短試運行周期的同時，也降低試運行晶圓的使用量。