[發明專利]納米線晶體管元件

有效

• 申請號: 202010258051.X
• 申請日: 2015-01-26
• 公開（公告）號: CN111584625B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 馮立偉;蔡世鴻;洪世芳;林昭宏;鄭志祥
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/775
• 分類號: H01L29/775;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/02;H01L21/335;H01L21/336;B82Y10/00;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種互補式金屬氧化物半導體元件，其特征在于，該互補式金屬氧化物半導體元件包含：

基底，包括第一元件區和第二元件區；

多個第一納米線，形成于該基底上并位于該第一元件區中，且各該第一納米線分別包含：

第一半導體核心；以及

第二半導體核心，該第二半導體核心環繞該第一半導體核心，且該第二半導體核心的一晶格常數不同于該第一半導體核心的一晶格常數；

多個第二納米線，形成于該基底上并位于該第二元件區中，且各該第二納米線包含該第一半導體核心；

第一柵極，環繞部分的各該第一納米線，其中該第一納米線的部分該第二半導體核心被該第一柵極覆蓋，另一部分的該第二半導體核心自該第一柵極兩側顯露出來；以及

第二柵極，環繞部分的各該第二納米線。

2.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體元件，其中該第一半導體核心包含硅。

3.如權利要求2所述的互補式金屬氧化物半導體元件，其中該第二半導體核心包含鍺化硅或碳化硅。

4.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體元件，還包含第三半導體核心，形成于該第二半導體核心與該第一柵極之間，且該第一柵極顯露部分的該第三半導體核心。

5.如權利要求4所述的互補式金屬氧化物半導體元件，其中該第三半導體核心包含硅。

6.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體元件，還包含:

兩個第一連接墊，分別設置于該多個第一納米線的兩端點；以及

兩個第二連接墊，分別設置于該多個第二納米線的兩端點。

7.如權利要求6所述的互補式金屬氧化物半導體元件，另包括一絕緣層介于該兩個第一連接墊、該兩個第二連接墊與該基底之間。

8.如權利要求6所述的互補式金屬氧化物半導體元件，其中該兩個第一連接墊、該兩個第二連接墊與該第一半導體核心包含相同的材料。

9.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體元件，其中該第二半導體核心環繞且完全包覆該第一半導體核心。

10.一種納米線晶體管元件，其特征在于，該納米線晶體管元件包括:

基底，包含凹槽；

兩個連接墊，分別設置在該凹槽兩側的該基底上，并且與該基底直接接觸；

納米線，位于該兩個連接墊之間，并且懸置于該凹槽上，其中該納米線包含：

第一半導體核心；以及

第二半導體核心，該第二半導體核心環繞該第一半導體核心，且該第二半導體核心的一晶格常數不同于該第一半導體核心的一晶格常數；以及

柵極，環繞部分的該納米線。

11.如權利要求10所述的納米線晶體管元件，另包括:

摻雜區，形成在該凹槽兩側的該基底中，與該兩個連接墊直接接觸。

12.如權利要求11所述的納米線晶體管元件，其中該兩個連接墊、該第一半導體核心與該基底包含相同的材料。

13.如權利要求11所述的納米線晶體管元件，其中該兩個連接墊與該摻雜區包含互補的導電型。

14.如權利要求10所述的納米線晶體管元件，其中該第一半導體核心包含硅，該第二半導體核心包含鍺化硅或碳化硅。

15.如權利要求10所述的納米線晶體管元件，其中該柵極顯露部分的該第二半導體核心。

16.如權利要求10所述的納米線晶體管元件，還包含第三半導體核心，形成于該第二半導體核心與該柵極之間，其中該柵極顯露部分的該第三半導體核心。