[發(fā)明專利]具有增大數(shù)量的位線的架構(gòu)的三維存儲設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010253428.2
• 申請日: 2019-03-01
• 公開（公告）號: CN111403416A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉峻;薛磊
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11563
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 張殿慧;劉健

公開了三維(3D)存儲設(shè)備的實施例。3D存儲設(shè)備具有的架構(gòu)具有增大數(shù)量的位線。在示例中，3D存儲設(shè)備包括襯底；多個存儲器串，每個存儲器串在存儲區(qū)域中在襯底上方垂直延伸；以及在多個存儲器串上方的多條位線。多條位線中的至少一條位線電連接到多個存儲器串中的單個存儲器串。

本申請是申請日為2019年3月1日、申請?zhí)枮?01980000491.0、名稱為“具有增大數(shù)量的位線的架構(gòu)的三維存儲設(shè)備”的申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容的實施例涉及存儲設(shè)備及其制造方法。

背景技術(shù)

通過改進(jìn)工藝技術(shù)、電路設(shè)計、編程算法和制造工藝，將諸如存儲單元等平面半導(dǎo)體設(shè)備縮放到更小的尺寸。然而，隨著半導(dǎo)體設(shè)備的特征尺寸接近下限，平面工藝和制造技術(shù)變得具有挑戰(zhàn)性且成本高。三維(3D)設(shè)備架構(gòu)可以解決一些平面半導(dǎo)體設(shè)備(例如，閃存設(shè)備)的密度限制問題。

發(fā)明內(nèi)容

本文公開了3D存儲設(shè)備及其制造方法的實施例。

在一個示例中，3D存儲設(shè)備包括襯底；多個存儲器串，每個存儲器串在存儲區(qū)域中在襯底上方垂直延伸；以及在多個存儲器串上方的多條位線。多條位線中的至少一條位線電連接到多個存儲器串中的單個存儲器串。

在另一示例中，3D存儲設(shè)備包括襯底、以及在平面圖中沿第一橫向方向和第二橫向方向延伸的多個存儲器串。多個存儲器串中的每一個在存儲區(qū)域中在襯底上方垂直延伸。3D存儲設(shè)備還包括在多個存儲器串上方沿第二橫向方向延伸的多條位線。多條位線標(biāo)稱上彼此平行。3D存儲設(shè)備還包括切口結(jié)構(gòu)，切口結(jié)構(gòu)在平面圖中與多個存儲器串中的至少一個重疊，并且沿著第二橫向方向?qū)⒍鄠€存儲器串劃分為第一部分和第二部分。多個存儲器串中的至少一個上方的位線的數(shù)量至少為三。

在又一示例中，3D存儲系統(tǒng)包括存儲器疊層、多個存儲器串、多條位線和多個外圍設(shè)備。存儲器疊層包括在襯底上方的絕緣結(jié)構(gòu)中的多個交錯的導(dǎo)體層和絕緣層。多個存儲器串在平面圖中沿存儲區(qū)域的第一橫向方向和第二橫向方向在存儲器疊層中延伸，多個存儲器串中的每一個垂直延伸到襯底中。多條位線在多個存儲器串上方并且電連接到多個存儲器串。在一些實施例中，多條位線中的至少一條位線電連接到多個存儲器串中的單個存儲器串。多個外圍設(shè)備電連接到多個存儲器串。

在又一示例中，3D存儲系統(tǒng)包括存儲器疊層、多個存儲器串、切口結(jié)構(gòu)、多條位線和多個外圍設(shè)備。存儲器疊層包括在襯底上方的絕緣結(jié)構(gòu)中的多個交錯的導(dǎo)體層和絕緣層。多個存儲器串在平面圖中沿第一橫向方向和第二橫向方向在存儲器疊層中延伸，多個存儲器串中的每一個垂直延伸到襯底中。切口結(jié)構(gòu)在平面圖中與多個存儲器串中的至少一個重疊，并且沿著第二橫向方向?qū)⒍鄠€存儲器串劃分為第一部分和第二部分。多條位線在多個存儲器串上方并且電連接到多個存儲器串。多條位線均彼此平行。多個存儲器串中的至少一個上方的位線的數(shù)量至少為三。多個外圍設(shè)備電連接到多個存儲器串。

附圖說明

并入本文并形成說明書的一部分的附圖示出了本公開內(nèi)容的實施例，并且附圖與說明書一起進(jìn)一步用于解釋本公開內(nèi)容的原理并且使得相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員能夠作出并使用本公開內(nèi)容。

圖1示出了3D存儲設(shè)備的平面圖。

圖2-4均示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施例的示例性3D存儲設(shè)備的平面圖。

圖5A-5C示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施例的在示例性制造工藝的各個階段的3D存儲設(shè)備的橫截面圖。

圖6是根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施例的用于形成3D存儲設(shè)備的示例性方法的流程圖。

圖7示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施例的具有示例性3D存儲設(shè)備的示例性存儲系統(tǒng)的橫截面圖。

將參考附圖來描述本公開內(nèi)容的實施例。

具體實施方式