[發明專利]具有增大數量的位線的架構的三維存儲設備

在審

• 申請號: 202010253428.2
• 申請日: 2019-03-01
• 公開（公告）號: CN111403416A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 劉峻;薛磊
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11563
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 張殿慧;劉健

1.一種三維(3D)存儲設備，包括：

襯底；

多個存儲器串，其在平面圖中沿第一橫向方向和第二橫向方向延伸，所述多個存儲器串中的每一個在存儲區域中在所述襯底上方垂直延伸；

多條位線，其在所述多個存儲器串上方沿所述第二橫向方向延伸，所述多條位線標稱上彼此平行；以及

切口結構，其在所述平面圖中與所述多個存儲器串中的至少一個重疊，并且沿著所述第二橫向方向將所述多個存儲器串劃分為第一部分和第二部分，其中，所述多個存儲器串中的至少一個上方的位線的數量至少為三。

2.根據權利要求1所述的3D存儲設備，其中，

所述多個存儲器串的所述第一部分和所述第二部分包括沿所述第二橫向方向的相同數量的串行和沿所述第一橫向方向的相同數量的串列；并且

所述多條位線中的每一條電連接到所述第一部分中的一個存儲器串和所述第二部分中的另一個存儲器串。

3.根據權利要求1或2所述的3D存儲設備，其中，

所述多個存儲器串布置為沿所述第一橫向方向和所述第二橫向方向延伸的陣列；并且

所述多個存儲器串的所述第一部分和所述第二部分中的每一個包括沿所述第二橫向方向的偶數個串行。

4.根據權利要求3所述的3D存儲設備，其中，在所述平面圖中，

所述第一部分和所述第二部分中的每一個包括沿所述第二橫向方向的N個串行；

溝道間距包括沿所述第一橫向方向布置的N條位線；并且

位線間距標稱上為沿所述第一橫向方向的所述溝道間距的1/N，N至少等于6。

5.根據權利要求4所述的3D存儲設備，其中，N是正偶數。

6.根據權利要求1-5中的任一項所述的3D存儲設備，其中，所述多個存儲器串均包括溝道結構和在所述溝道結構上方的漏極，所述漏極電連接到相應的位線。

7.一種三維(3D)存儲系統，包括：

存儲器疊層，其包括在襯底上方的絕緣結構中的多個交錯的導體層和絕緣層；

多個存儲器串，其在平面圖中沿第一橫向方向和第二橫向方向在所述存儲器疊層中延伸，所述多個存儲器串中的每一個垂直延伸到所述襯底中；

切口結構，其在所述平面圖中與所述多個存儲器串中的至少一個重疊，并且沿著所述第二橫向方向將所述多個存儲器串劃分為第一部分和第二部分；

多條位線，其在所述多個存儲器串上方并且電連接到所述多個存儲器串，所述多條位線均彼此平行，其中，所述多個存儲器串中的至少一個上方的位線的數量至少為三；以及

多個外圍設備，其電連接到所述多個存儲器串。

8.根據權利要求7所述的3D存儲系統，其中，

所述多個存儲器串的所述第一部分和所述第二部分包括沿所述第二橫向方向的相同數量的串行和沿所述第一橫向方向的相同數量的串列；并且

所述多條位線中的每一條電連接到所述第一部分中的一個存儲器串和所述第二部分中的另一個存儲器串。

9.根據權利要求7或8所述的3D存儲系統，其中，所述多個存儲器串布置為沿所述第一橫向方向和所述第二橫向方向延伸的陣列，所述多個存儲器串的所述第一部分和所述第二部分中的每一個包括沿所述第二橫向方向的偶數個串行。

10.根據權利要求9所述的3D存儲系統，其中，在所述平面圖中，

所述第一部分和所述第二部分中的每一個包括沿所述第二橫向方向的N個串行；

溝道間距包括沿所述第一橫向方向布置的N條位線；并且

位線間距標稱上為沿所述第一橫向方向的溝道間距的1/N，N至少等于6。

11.根據權利要求10所述的3D存儲系統，其中，N是正偶數。

12.根據權利要求7-11中的任一項所述的3D存儲系統，其中，所述多個存儲器串均包括溝道結構和在所述溝道結構上方的漏極，所述漏極電連接到相應的位線。