[發明專利]集成電路版本控制單元及控制電路以及修改方法在審
| 申請號: | 202010250454.X | 申請日: | 2020-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN111463170A | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發明(設計)人: | 吳俊;施子韜;李冉;田縫;馬占林;韓洪征;宋永華 | 申請(專利權)人: | 博流智能科技(南京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
| 地址: | 211800 江蘇省南京市江北*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 版本 控制 單元 控制電路 以及 修改 方法 | ||
1.一種集成電路版本控制單元,其特征在于,所述版本控制單元包括:金屬及過孔串聯分支、金屬并聯分支及過孔并聯分支;
所述金屬及過孔串聯分支、金屬并聯分支及過孔并聯分支并聯,各分支的輸出相互連接,形成版本控制單元的輸出;
所述金屬及過孔串聯分支的第一端連接拉低單元,金屬并聯分支的第一端及過孔并聯分支的輸入連接拉高單元;
所述金屬及過孔串聯分支包括依次串聯的若干金屬層及若干過孔,各金屬層及過孔間隔連接,最后通過金屬層連接輸出;所述金屬及過孔串聯分支中的金屬層與所述金屬并聯分支中的金屬層直接連接;每層金屬層及過孔均預留切斷的位置;
所述金屬并聯分支包括若干并聯的金屬分支,各金屬分支分別連接所述拉高單元,各金屬分支分別設有缺口;
所述過孔并聯分支包括若干并聯的過孔分支,各過孔分支分別連接所述拉高單元;每層過孔分支包括兩個相連的金屬層,兩個相連的金屬層有重疊區域;重疊區域預留放置過孔的位置,金屬重疊部分滿足放置過孔后所需的物理設計規則。
2.根據權利要求1所述的集成電路版本控制單元,其特征在于:
所述金屬并聯分支包括n個金屬分支,各金屬分支包括一層金屬層,分別記為:第一金屬層、第二金屬層、…、第n-1金屬層、第n金屬層;其中,n≥2;
所述過孔并聯分支包括n-1個過孔分支,第i過孔分支包括第i金屬層、第i+1金屬層;其中,i為整數,1≤i≤n-1;第i金屬層與第i+1金屬層之間設有第i個過孔。
3.根據權利要求2所述的集成電路版本控制單元,其特征在于:
n=4。
4.一種集成電路版本控制電路,其特征在于:所述集成電路版本控制電路包括至少一權利要求1至3任一所述集成電路版本控制單元以及一編碼器;各集成電路版本控制單元分別連接所述編碼器。
5.一種利用權利要求1至3任一所述集成電路版本控制單元的修改集成電路版本控制信息方法,其特征在于,所述方法包括:
根據控制版本信息在設定過孔位置設置過孔,在金屬及過孔串聯分支的設定預留切斷的位置切斷。
6.根據權利要求5所述的修改集成電路版本控制信息方法,其特征在于:
所述方法包括:通過編碼器接收各版本控制單元輸入的數據,經過編碼后輸出版本信息。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





