[發明專利]一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 202010250432.3
• 申請日: 2020-04-01
• 公開（公告）號: CN111415995B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 程磊磊
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;H10K59/121
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 張佳

1.一種顯示面板，其特征在于，包括襯底基板以及位于所述襯底基板上多個陣列排布的驅動晶體管；

所述驅動晶體管包括：

有源層，位于所述襯底基板上，所述有源層包括相互電連接的導體部和半導體部；其中，所述半導體部包括第一導體化區、第二導體化區以及位于所述第一導體化區和所述第二導體化區之間的溝道區；所述導體部位于所述第一導體化區遠離所述溝道區的一側，且所述導體部的材料為金屬材料；

柵絕緣層，位于所述有源層背離所述襯底基板一側；所述柵絕緣層在所述襯底基板上的正投影僅與所述溝道區在所述襯底基板上的正投影交疊；

柵極，位于所述柵絕緣層背離所述襯底基板一側；

層間絕緣層，位于所述柵極背離所述襯底基板一側；

源漏極層，位于所述層間絕緣層背離所述襯底基板一側，且所述源漏極層包括源極和電源線；所述源極的一端與所述電源線電連接，所述源極的另一端通過貫穿所述層間絕緣層的第一過孔與所述導體部電連接；

所述導體部在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一過孔在所述襯底基板上的正投影；

位于所述襯底基板與所述驅動晶體管之間覆蓋所述襯底基板的緩沖層，位于所述驅動晶體管和所述緩沖層之間覆蓋所述驅動晶體管的遮光層。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述導體部和所述半導體部的厚度相同，所述導體部和所述驅動晶體管的柵極采用同一構圖工藝形成。

3.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述源漏極層還包括獨立設置的輔助電極，所述輔助電極在所述襯底基板上的正投影與所述柵極在所述襯底基板上的正投影交疊，且所述輔助電極通過貫穿所述層間絕緣層的第二過孔與所述柵極電連接。

4.如權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述驅動晶體管的柵極的厚度不小于所述有源層的厚度。

5.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，還包括：位于所述驅動晶體管背離所述襯底基板一側的鈍化層，位于所述鈍化層背離所述襯底基板一側的平坦層，以及位于所述平坦層背離所述襯底基板一側的陽極；

所述源漏極層還包括漏極；所述漏極的第一端通過貫穿所述層間絕緣層的第三過孔與所述第二導體化區電連接，所述漏極的第二端通過貫穿所述層間絕緣層和所述緩沖層的第四過孔與所述遮光層電連接，所述漏極的第三端通過貫穿所述鈍化層和所述平坦層的第五過孔與所述陽極電連接。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的顯示面板。

7.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括在襯底基板上形成多個陣列排布的驅動晶體管；

形成所述驅動晶體管具體包括：

在所述襯底基板上沉積半導體材料膜層，構圖并導體化形成包括導體部空留區、第一導體化區、第二導體化區以及位于所述第一導體化區和所述第二導體化區之間的溝道區的半導體部；所述導體部空留區位于所述第一導體化區遠離所述溝道區的一側；

在所述半導體材料膜層背離所述襯底基板一側沉積柵絕緣層；所述柵絕緣層在所述襯底基板上的正投影僅與所述溝道區在所述襯底基板上的正投影交疊；

在所述柵絕緣層背離所述襯底基板一側沉積柵極金屬膜層，構圖形成導體部和薄膜晶體管的柵極；其中，所述導體部和所述半導體部電連接，所述導體部位于所述導體部空留區，所述導體部和所述半導體部構成所述驅動晶體管的有源層；

在所述柵極背離所述襯底基板一側形成包括第一過孔的層間絕緣層，所述導體部在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一過孔在所述襯底基板上的正投影；

在所述層間絕緣層背離所述襯底基板一側沉積源漏金屬膜層，構圖形成所述薄膜晶體管的源漏極層；其中，所述源漏極層包括源極和電源線，所述源極的一端與所述電源線電連接，所述源極的另一端通過所述第一過孔與所述導體部電連接；

位于所述襯底基板與所述驅動晶體管之間覆蓋所述襯底基板的緩沖層，位于所述驅動晶體管和所述緩沖層之間覆蓋所述驅動晶體管的遮光層。