[發(fā)明專利]一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010250432.3
• 申請(qǐng)日: 2020-04-01
• 公開（公告）號(hào): CN111415995B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程磊磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;H10K59/121
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 張佳

本發(fā)明公開了一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置，本發(fā)明通過在驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層中單獨(dú)設(shè)置材料為金屬的導(dǎo)體部，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與該導(dǎo)體部電連接，這樣不會(huì)由于工藝問題導(dǎo)致源極原本要電連接的有源層的導(dǎo)體化部分缺失而導(dǎo)致源極與遮光層短路的問題，因此在源極施加電壓時(shí)不會(huì)造成亮點(diǎn)不良，能夠有效提升顯示效果和產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)是以透明玻璃為基材的一種具有多功能薄膜層的場效應(yīng)晶體管，它對(duì)顯示器的工作性能具有十分重要的作用。工藝上常使用薄膜晶體管陣列技術(shù)來改善畫面品質(zhì)，因而被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、電腦顯示器、電視等電子顯示設(shè)備中。

頂柵型TFT是TFT類型中的一種，它具有短溝道的特點(diǎn)，使其工作時(shí)的開態(tài)電流可以得到有效提升。另外，頂柵型TFT的柵極與源漏極重疊面積小，因而產(chǎn)生的寄生電容較小，因而可以顯著提升顯示效果并且能有效降低功耗。由于頂柵型TFT具有上述顯著優(yōu)點(diǎn)，所以越來越受到人們的關(guān)注。目前頂柵型TFT大都采用具有高載流子遷移率的銦鎵鋅氧化物(Indium?Gallium?Zinc?Oxide，IGZO)半導(dǎo)體做有源層。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與遮光層容易短路造成亮點(diǎn)不良的問題。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括襯底基板以及位于所述襯底基板上多個(gè)陣列排布的驅(qū)動(dòng)晶體管；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括：

有源層，位于所述襯底基板上，所述有源層包括相互電連接的導(dǎo)體部和半導(dǎo)體部；其中，所述半導(dǎo)體部包括第一導(dǎo)體化區(qū)、第二導(dǎo)體化區(qū)以及位于所述第一導(dǎo)體化區(qū)和所述第二導(dǎo)體化區(qū)之間的溝道區(qū)；所述導(dǎo)體部位于所述第一導(dǎo)體化區(qū)遠(yuǎn)離所述溝道區(qū)的一側(cè)，且所述導(dǎo)體部的材料為金屬材料；

柵絕緣層，位于所述有源層背離所述襯底基板一側(cè)；所述柵絕緣層在所述襯底基板上的正投影僅與所述溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影交疊；

柵極，位于所述柵絕緣層背離所述襯底基板一側(cè)；

層間絕緣層，位于所述柵極背離所述襯底基板一側(cè)；

源漏極層，位于所述層間絕緣層背離所述襯底基板一側(cè)，且所述源漏極層包括源極和電源線；所述源極的一端與所述電源線電連接，所述源極的另一端通過貫穿所述層間絕緣層的第一過孔與所述導(dǎo)體部電連接；

所述導(dǎo)體部在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一過孔在所述襯底基板上的正投影。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，所述導(dǎo)體部和所述半導(dǎo)體部的厚度相同，所述導(dǎo)體部和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極采用同一構(gòu)圖工藝形成。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，所述源漏極層還包括獨(dú)立設(shè)置的輔助電極，所述輔助電極在所述襯底基板上的正投影與所述柵極在所述襯底基板上的正投影交疊，且所述輔助電極通過貫穿所述層間絕緣層的第二過孔與所述柵極電連接。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的厚度不小于所述有源層的厚度。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，還包括：位于所述襯底基板與所述驅(qū)動(dòng)晶體管之間覆蓋所述襯底基板的緩沖層，位于所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述緩沖層之間覆蓋所述驅(qū)動(dòng)晶體管的遮光層，位于所述驅(qū)動(dòng)晶體管背離所述襯底基板一側(cè)的鈍化層，位于所述鈍化層背離所述襯底基板一側(cè)的平坦層，以及位于所述平坦層背離所述襯底基板一側(cè)的陽極；