[發明專利]一種用于存儲器或存內計算的陣列單元結構及其工作方法

有效

• 申請號: 202010247625.3
• 申請日: 2020-03-31
• 公開（公告）號: CN111462798B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 解玉鳳;王渝;胡顯武;馮佳韻;吳丹青;李東洋
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/12
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 盧泓宇

1.一種用于存儲器或存內計算的陣列單元結構工作方法，其特征在于，具體步驟如下：

第一晶體管的柵極連接字線，源極連接源線，漏極與電阻變化特性器件的一端相連接，所述電阻變化特性器件的另一端連接位線，

第二晶體管選用NMOS，其源極連接地線，柵極連接第一晶體管的漏極，漏極連接計算位線，

當源線電壓大于位線電壓時，若所述電阻變化特性器件為高阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為高電壓，此時所述第二晶體管能夠開啟，并將計算位線抽取或注入一部分電流；若所述電阻變化特性器件為低阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為低電壓，此時所述第二晶體管無法開啟，從而抵抗低阻態波動，

當源線電壓小于位線電壓時，若所述電阻變化特性器件為低阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為高電壓，此時所述第二晶體管能夠開啟，并將計算位線抽取或注入一部分電流；若所述電阻變化特性器件為高阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為低電壓，此時所述第二晶體管無法開啟，從而抵抗高阻態波動。

2.一種用于存儲器或存內計算的陣列單元結構工作方法，其特征在于，具體步驟如下：

第一晶體管的柵極連接字線，源極連接源線，漏極與電阻變化特性器件的一端相連接，所述電阻變化特性器件的另一端連接位線，

第二晶體管選用NMOS，其源極連接計算源線，柵極連接第一晶體管的漏極，漏極連接計算位線，

當源線電壓大于位線電壓時，若所述電阻變化特性器件為低阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為低電壓，此時無論計算源線為高電壓還是低電壓，所述第二晶體管無法開啟，從而抵抗低阻態波動；若所述電阻變化特性器件為高阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為高電壓，此時當計算源線或者計算位線為低電壓時，所述第二晶體管能夠開啟，將計算位線電流抽取或者注入，從而實現存內計算

當源線電壓小于位線電壓時，若所述電阻變化特性器件為高阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為低電壓，此時無論計算源線為高電壓還是低電壓，所述第二晶體管無法開啟，從而抵抗高阻態波動；若所述電阻變化特性器件為低阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為高電壓，此時當計算源線或者計算位線為低電壓時，所述第二晶體管能夠開啟，將計算位線電流抽取或者注入，從而實現存內計算。

3.一種用于存儲器或存內計算的陣列單元結構工作方法，其特征在于，具體步驟如下：

第一晶體管的柵極連接字線，源極連接源線，漏極與電阻變化特性器件的一端相連接，所述電阻變化特性器件的另一端連接位線，

第二晶體管選用PMOS，其源極連接電源線，柵極連接第一晶體管的漏極，漏極連接計算位線，

當源線電壓大于位線電壓時，若所述電阻變化特性器件為低阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為低電壓，此時所述第二晶體管能夠開啟，并將計算位線抽取或者注入一部分電流；若所述電阻變化特性器件為高阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為高電壓，此時所述第二晶體管無法開啟，從而抵抗高阻態波動，

當源線電壓小于位線電壓時，若所述電阻變化特性器件為高阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為低電壓，所述第二晶體管能夠開啟，并將計算位線抽取或者注入一部分電流；若所述電阻變化特性器件為低阻，則所述第二晶體管的柵極電壓為高電壓，所述第二晶體管無法開啟，從而抵抗低阻態波動。