[發(fā)明專利]一體成型電子器件及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010237941.2 | 申請日： | 2020-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN111477551A | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張程龍 | 申請（專利權）人： | 華源智信半導體(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/522 |
| 代理公司： | 深圳新創(chuàng)友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 黃議本 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一體 成型 電子器件 及其 制作方法 | ||
1.一種一體成型電子器件的制作方法，其特征在于，包括：
A1、將第一集成電路與具有第一元件的電路框架連接，使得所述第一集成電路位于所述第一元件的上方；
A2、在所述第一集成電路的上方將第二元件與所述第一元件連接形成包圍在所述第一集成電路的周圍的電感線圈；
A3、使用磁性材料將所述電感線圈與所述第一集成電路包封在一起。
2.根據權利要求1所述制作方法，其特征在于，所述A1具體包括：用不導電結合材料將所述第一集成電路與具有第一元件的電路框架固定連接以及用金屬導線將所述第一集成電路的電極與所述電路框架的電極連接，使得所述第一集成電路位于所述第一元件的上方。
3.根據權利要求1所述制作方法，其特征在于：
所述第一集成電路為倒裝集成電路；所述倒裝集成電路的銅柱的上方有焊球；
所述A1具體包括：將所述倒裝集成電路的焊球與具有第一元件的電路框架的電極連接，使得所述倒裝集成電路位于所述第一元件的上方。
4.根據權利要求1所述制作方法，其特征在于：
所述電路框架為只有正面半蝕刻的引線框架；所述第一元件為導電引線；
還包括A4、完成包封后對所述引線框架進行背面半蝕刻，以形成完整電路。
5.根據權利要求1所述制作方法，其特征在于：所述第二元件的具體形式包括連接橋線和橋狀導體。
6.一種一體成型電子器件，其特征在于：包括電路框架、第一集成電路和第二元件；
所述電路框架設有第一元件；
所述第一集成電路與所述電路框架連接，且所述第一集成電路位于所述第一元件的上方；
所述第二元件位于所述第一集成電路的上方；
所述第二元件與所述第一元件連接形成包圍在所述第一集成電路的周圍的電感線圈；
還包括將所述電感線圈與所述第一集成電路包封在一起的磁性材料。
7.根據權利要求6所述一體成型電子器件，其特征在于：所述電路框架的具體形式包括引線框架和印刷電路板。
8.根據權利要求6所述一體成型電子器件，其特征在于：所述第二元件的具體形式包括連接橋線和橋狀導體；所述橋狀導體為銅橋。
9.根據權利要求6所述一體成型電子器件，其特征在于：所述第一元件為導電引線；所述第一集成電路為控制集成電路。
10.一種產品，其特征在于：包括根據權利要求6至9任一項所述一體成型電子器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
