[發明專利]一種基于薄膜IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片

有效

• 申請號: 202010235921.1
• 申請日: 2020-03-30
• 公開（公告）號: CN111525903B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 吳永樂;孔夢丹;莊正;王衛民
• 申請（專利權）人: 北京郵電大學
• 主分類號: H03H5/12
• 分類號: H03H5/12
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 丁蕓;馬敬

本發明實施例提供了一種基于薄膜IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，其中包括：為單層的介質板的基底層及采用薄膜集成無源器件IPD技術在介質板上生成的吸收式帶阻濾波器電路；吸收式帶阻濾波器電路包括：輸入端口，輸出端口、連接于輸入端口與輸出端口之間的基礎帶阻主路、以及連接于基礎帶阻主路上的寬頻帶吸收支路；輸入端口，用于接收輸入的信號；基礎帶阻主路，用于對信號在帶阻的頻率范圍內進行阻斷；寬頻帶吸收支路，用于吸收信號并且拓展信號的帶阻的頻率范圍；輸出端口，用于輸出經寬頻帶吸收支路及基礎帶阻主路處理信號以后，除帶阻的頻率范圍以外的信號。

技術領域

本發明涉及集成電路領域，特別是涉及一種基于薄膜IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片。

背景技術

隨著無線通信技術的迅速發展，頻譜資源日益復雜，帶阻濾波器逐漸向著寬頻帶、低插損、超小型化等趨勢發展。帶阻濾波器中的吸收式帶阻濾波器，可以直接將輸入的信號中的某些干擾信號頻率分量，通過電阻吸收以達到干擾信號抑制功能。

在近年來，大量吸收式帶阻濾波器的研制在現有技術中多種實現方式，在一種實現方式中可以采用低溫共燒陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic，簡稱LTCC)技術實現。通常現有技術利用LTCC技術來實現集總元件比如電容、電感構成的吸收式帶阻濾波器電路。具體吸收式帶阻濾波器電路參見圖1所示，圖1為現有技術的吸收式帶阻濾波器的電路原理圖。吸收式帶阻濾波器的電路是由輸入端90、輸出端20、第一個電容60、第一個電感70，第一個電阻80、第二個電阻30、第二個電容50，第二個電感40組成；其中第一個電感70，第一個電阻80與第二個電阻30串聯，并與輸入端90，第二個電阻30、第二個電容50，第二個電感40并聯，并與輸出端20連接，實現帶阻。此帶阻濾波器的通帶上限頻率與通帶下限頻率的比近似為2或者更小，也稱為窄帶。

由于LTCC技術等半導體技術實現的小型化吸收式帶阻濾波器針對的是窄帶帶阻特性，并且使用的多層基板構造的帶阻濾波器器件，此帶阻濾波器器件厚度大，尺寸大且成本器件厚度的增加而增加。綜上所述，現有技術的吸收式帶阻濾波器具有窄帶帶阻特性，并且器件厚度大，尺寸大且成本隨器件厚度的增加而增加。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種基于薄膜IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，用以解決現有技術中吸收式帶阻濾波器具有窄帶帶阻特性，并且器件厚度大，尺寸大且成本隨器件厚度的增加而增加的技術問題。具體技術方案如下：

本發明實施例提供了一種基于薄膜集成無源器件IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，包括：

吸收式帶阻濾波器電路，以及用于承載所述吸收式帶阻濾波器電路的基底層，其中，

所述基底層為單層的介質板；

所述吸收式帶阻濾波器電路是采用薄膜集成無源器件IPD技術在所述介質板上生成的；所述吸收式帶阻濾波器電路包括：輸入端口，輸出端口、連接于所述輸入端口與輸出端口之間的基礎帶阻主路、以及連接于所述基礎帶阻主路上的寬頻帶吸收支路；

所述輸入端口，用于接收輸入的信號；

所述基礎帶阻主路，用于對所述信號在帶阻的頻率范圍內進行阻斷；

所述寬頻帶吸收支路，用于吸收所述信號并且拓展所述信號的帶阻的頻率范圍；

所述輸出端口，用于輸出經所述寬頻帶吸收支路及所述基礎帶阻主路處理所述信號以后，除所述帶阻的頻率范圍以外的信號。

進一步的，在所述寬頻帶吸收支路為一個寬頻帶吸收支路的情況下，所述寬頻帶吸收支路連接于所述輸入端口與所述基礎帶阻主路之間；