[發明專利]一種基于薄膜IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片

有效

• 申請號: 202010235921.1
• 申請日: 2020-03-30
• 公開（公告）號: CN111525903B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 吳永樂;孔夢丹;莊正;王衛民
• 申請（專利權）人: 北京郵電大學
• 主分類號: H03H5/12
• 分類號: H03H5/12
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 丁蕓;馬敬

1.一種基于薄膜集成無源器件IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，其特征在于，包括：

吸收式帶阻濾波器電路，以及用于承載所述吸收式帶阻濾波器電路的基底層，其中，

所述基底層為單層的介質板；

所述吸收式帶阻濾波器電路是采用薄膜集成無源器件IPD技術在所述介質板上生成的；所述吸收式帶阻濾波器電路包括：輸入端口，輸出端口、連接于所述輸入端口與輸出端口之間的基礎帶阻主路、以及連接于所述基礎帶阻主路上的寬頻帶吸收支路；

所述輸入端口，用于接收輸入的信號；

所述基礎帶阻主路，用于對所述信號在帶阻的頻率范圍內進行阻斷；

所述寬頻帶吸收支路，用于吸收所述信號并且拓展所述信號的帶阻的頻率范圍；

所述輸出端口，用于輸出經所述寬頻帶吸收支路及所述基礎帶阻主路處理所述信號以后，除所述帶阻的頻率范圍以外的信號；

在所述寬頻帶吸收支路為一個寬頻帶吸收支路的情況下，所述寬頻帶吸收支路包括：用于吸收所述信號的薄膜電阻，第二直接螺旋電感及第四金屬絕緣體金屬MIM電容；其中，

所述薄膜電阻，所述第二直接螺旋電感與所述第四金屬絕緣體金屬 MIM電容串聯，所述薄膜電阻的一端連接于所述輸入端口，所述薄膜電阻的另一端連接于所述第二直接螺旋電感的一端，所述第二直接螺旋電感的另一端連接于所述第四金屬絕緣體金屬MIM電容的一端，所述第四金屬絕緣體金屬MIM電容的另一端連接于節點。

2.如權利要求1所述的基于薄膜集成無源器件IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，其特征在于，在所述寬頻帶吸收支路為一個寬頻帶吸收支路的情況下，所述寬頻帶吸收支路連接于所述輸入端口與所述基礎帶阻主路之間；

在所述寬頻帶吸收支路為兩個以上寬頻帶吸收支路的情況下，所述兩個以上寬頻帶吸收支路中的一個寬頻帶吸收支路連接于所述輸入端口與所述基礎帶阻主路之間，所述兩個以上寬頻帶吸收支路中的另一個寬頻帶吸收支路連接于所述基礎帶阻主路與所述輸出端口之間，所述兩個以上寬頻帶吸收支路中的其余寬頻帶吸收支路連接于所述基礎帶阻主路上。

3.如權利要求1所述的基于薄膜集成無源器件IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，其特征在于，所述薄膜電阻是由鎳鉻合金構成的。

4.如權利要求1所述的基于薄膜集成無源器件IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，其特征在于，所述吸收式帶阻濾波器電路還包括：連接于所述基礎帶阻主路上的寬頻帶反射支路，用于拓展所述信號的帶阻的頻率范圍，并且位于所述寬頻帶吸收支路靠近所述輸出端口的位置；

所述輸出端口，還用于輸出經所述寬頻帶吸收支路，所述基礎帶阻主路及所述寬頻帶反射支路處理所述信號以后，除所述帶阻的頻率范圍以外的信號。

5.如權利要求1所述的基于薄膜集成無源器件IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，其特征在于，在所述寬頻帶反射支路為一個寬頻帶反射支路的情況下，所述寬頻帶反射支路連接于所述輸出端口與所述基礎帶阻主路之間；

在所述寬頻帶反射支路為兩個以上寬頻帶反射支路的情況下，所述兩個以上寬頻帶反射支路中的一個寬頻帶反射支路連接于所述輸出端口與所述基礎帶阻主路之間；

所述兩個以上寬頻帶反射支路中的其余寬頻帶反射支路連接于所述基礎帶阻主路上。

6.如權利要求5所述的基于薄膜集成無源器件IPD技術的寬頻帶吸收式帶阻濾波器芯片，其特征在于，在所述寬頻帶反射支路為一個寬頻帶反射支路的情況下，所述寬頻帶反射支路包括：第五MIM電容及第三直接螺旋電感；其中，

所述第五MIM電容與所述第三直接螺旋電感串聯，所述第五MIM電容的一端連接于節點，所述第五MIM電容的另一端連接所述第三直接螺旋電感的一端，所述第三直接螺旋電感的另一端連接于所述輸出端口。