[發明專利]探針卡及切換模塊在審
| 申請號: | 202010235672.6 | 申請日: | 2020-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN112017981A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 林進億;吳學智;林哲緯;吳可鈞;吳亭儒;蘇耿民 | 申請(專利權)人: | 旺矽科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;張燕華 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 探針 切換 模塊 | ||
本發明公開了一種探針卡及切換模塊,所述探針卡包含測試電路板、補強件、切換模塊以及測試頭。測試電路板包含上表面、下表面與中央穿孔。補強件設置于測試電路板的上表面,且包含對應于中央穿孔的中央載臺。切換模塊包含基座、微孔板以及轉接板。基座包含鏤空區,微孔板設置于基座的下方,轉接板設置于基座的上方。微孔板包含朝向基座的鏤空區的多個第一微孔。轉接板包含上表面與下表面,上表面包含多個上接觸點。測試頭電性連接于微孔板。通過轉接板與相對應的測試電路板進行電性連接,使線路不交錯,長短也趨于一致,解決先前技術的線路信號相互干擾以及測試信號時序不一致的問題。
技術領域
本發明涉及一種探針卡及切換模塊。
背景技術
傳統的集成電路芯片的制造方法是先在晶圓上形成多個晶粒,然后將晶圓進行切割而形成多個獨立的晶粒,各個獨立的晶粒再分別予以封裝而成。晶粒本身依據功能的不同而可以有不同的尺寸,功能復雜的晶粒的尺寸通常比較大,晶粒上的接觸點的數量也較多,因此接觸點的間距通常甚窄。功能較簡單的晶粒上的接觸點雖然較少,但因為晶粒的尺寸也比較小,因此接觸點的間距也同樣甚窄。因此,一般的晶粒難以與電路板直接進行電性連接。
為了讓晶粒中的電路能夠和電路板進行電性連接,必須將晶粒上的接觸點的空間分布予以放大,此步驟稱之為空間轉換(space transform)。空間轉換通常是通過將晶粒焊接于集成電路載板上來實現。集成電路載板具有上表面與下表面,其上表面的上接觸點的空間分布與對應晶粒的接觸點的空間分布相同,下表面的下接觸點的分布則較為寬裕,上表面與下表面之間則存在一電路布局將上表面的上接觸點與下表面的下接觸點予以電性連接。如此一來,晶粒上的接觸點的空間分布便得以通過集成電路載板而放大。
晶粒在與集成電路載板結合前,通常必須經過檢測程序,例如通過探針卡進行針測。為了能夠對晶圓上的晶粒進行探測,探針卡上的探針分布也必須與晶粒上的接觸點分布相同,因此探針同樣也會有緊湊的分布。如同前面所述,晶粒上的接觸點因為緊湊分布所以難以直接與電路板電性連接,同樣地,緊湊分布的探針也會有難以直接與測試電路板進行電性連接的問題,因此探針同樣也必須經過“空間轉換器”進行空間轉換始能與測試電路板電性連接。
空間轉換器如同集成電路載板般具有上表面與下表面,其中與探針相連接的下表面具有與探針分布相同的緊湊的接觸點分布,朝向測試電路板的上表面則具有較寬裕的接觸點分布。
傳統的空間轉換器在與相對應的測試電路板進行電性連接時,是直接從微孔板拉線至測試電路板,導致線路走線交錯凌亂,容易造成信號相互干擾的問題;此外,線路走線長短不一也會造成信號的時序不一致,影響電性測試結果的準確度。
發明內容
有鑒于此,本發明提出一種探針卡,其包含測試電路板、補強件、切換模塊以及測試頭。測試電路板包含上表面、下表面與中央穿孔。補強件設置于測試電路板的上表面,且包含對應于中央穿孔的中央載臺。切換模塊包含基座、微孔板、轉接板、多個線路以及多個外部電路走線。基座包含鏤空區,微孔板設置于基座的下方,轉接板設置于基座的上方。微孔板包含朝向基座的鏤空區的多個第一微孔。轉接板包含上表面、下表面與多個貫孔。轉接板的下表面朝向基座,上表面包含多個上接觸點,各貫孔自轉接板的上表面延伸至轉接板的下表面。線路個別地穿過微孔板的第一微孔與轉接板的貫孔,其電性連接微孔板至轉接板的上表面的上接觸點。外部電路走線個別地電性連接轉接板的上接觸點至測試電路板的上表面的上接觸點。測試頭則是電性連接于微孔板。
本發明也提出一種切換模塊,適用于上述探針卡,通過轉接板與相對應的測試電路板進行電性連接,因此線路不交錯,長短也趨于一致,解決先前技術的線路信號相互干擾以及測試信號時序不一致的問題。
附圖說明
圖1為本發明的例示切換模塊的剖面分解示意圖;
圖2為本發明的例示切換模塊的剖面示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





