[發明專利]一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統在審
| 申請號: | 202010233804.1 | 申請日: | 2020-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN111289868A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 林焱;黃道姍;吳丹岳;林芳;方曉玲;杜培;張慧瑜;張偉駿 | 申請(專利權)人: | 國網福建省電力有限公司電力科學研究院;國網福建省電力有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26;G01R1/04;G01R1/18 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鴻超;蔡學俊 |
| 地址: | 350007 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 飽和 導通壓降 測試 電路 igbt 系統 | ||
1.一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述IGBT測試系統包括:
基板(1);
總控制器(2),所述總控制器(2)設置在所述基板(1)上;
柵極閾值電壓測試電路(3),所述柵極閾值電壓測試電路(3)與所述總控制器(2)連接,并用于與一個待測IGBT模組(7)連接;
集射極截止電流測試電路(4),所述集射極截止電流測試電路(4)與所述總控制器(2)連接,并用于與一個待測IGBT模組(13)連接;以及
飽和導通壓降測試電路(5),所述飽和導通壓降測試電路(5)與所述總控制器(2)連接,并用于與一個待測IGBT模組(17)連接;
所述總控制器(2)用于選擇性控制柵極閾值電壓測試電路(3)、集射極截止電流測試電路(4)以及飽和導通壓降測試電路(5)中的一個或多個工作;
所述柵極閾值電壓測試電路(3)用于檢測與其連接的所述待測IGBT模組(7)的柵極閾值電壓并將結果傳遞給所述總控制器(2);
所述集射極截止電流測試電路(4)用于檢測與其連接的所述待測IGBT模組(13)的集射極電流并將結果傳遞給所述總控制器(2);
所述飽和導通壓降測試電路(5)用于檢測與其連接的所述待測IGBT模組(17)的飽和導通壓降并將結果傳遞給所述總控制器(2)。
2.根據權利要求1所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述柵極閾值電壓測試電路(3)、集射極截止電流測試電路(4)以及飽和導通壓降測試電路(5)均設置在所述基板(1)上。
3.根據權利要求1所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述基板(1)上設置有至少兩個隔離板(66),各個隔離板(66)將所述基板分隔成三個容納區域,每個容納區域用于容納所述柵極閾值電壓測試電路(3)、集射極截止電流測試電路(4)以及飽和導通壓降測試電路(5)中的一個;所述總控制器設置在所述三個容納區域中的任意一個容納區域內。
4.根據權利要求1所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述IGBT測試系統進一步包括調溫系統(67),所述調溫系統(67)設置在隔離板(66)上,所述調溫系統用于調控所述容納區域的溫度。
5.根據權利要求4所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述調溫系統包括:
冷卻源組件,所述冷卻源組件設置在所述隔離板上,所述冷卻源組件包括冷卻源輸出端和冷卻源輸入端;以及
管道,所述管道設置在所述隔離板上,每個隔離板上的管道具有一個輸入端和一個輸出端,每個管道的輸入端與所述冷卻源輸出端連接,輸出端與所述冷卻源輸入端連接,所述冷卻源組件用于為各個管道提供冷源。
6.根據權利要求5所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述冷卻源組件包括:
水箱,所述水箱內設置有冷卻液體;以及
水泵,所述水泵安裝在所述水箱上并用于將所述水箱內的冷卻液體泵出。
7.根據權利要求6所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述水泵與所述總控制器連接,用于受所述總控制器控制工作。
8.根據權利要求5所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述調溫系統進一步包括加熱器,所述加熱器設置在一個或者各個隔離板的管道上并與所述總控制器連接,用于接收所述總控制器的指令并為經過所述管道的冷卻液體加熱。
9.根據權利要求1所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述IGBT測試系統進一步包括溫度傳感器,所述溫度傳感器設置在各個隔離板上并與總控制器連接,用于檢測各個所述隔離板的溫度并傳遞給總控制器。
10.根據權利要求1所述的一種具有飽和導通壓降測試電路的IGBT測試系統,其特征在于,所述IGBT測試系統進一步包括外殼體(90),所述基板、總控制器、柵極閾值電壓測試電路、集射極截止電流測試電路以及飽和導通壓降測試電路設置在所述外殼體內部。
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