[發明專利]存儲器的讀取方法、裝置及存儲系統

有效

• 申請號: 202010232128.6
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN111462799B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 王啟光
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/24;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種存儲器的讀取方法，其特征在于，包括：

獲取存儲器的讀取溫度，其中，所述存儲器包括襯底和設于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構內形成有存儲串，所述存儲串包括多個存儲單元，每個所述存儲單元包括溝道，多個所述存儲單元串聯連接使得多個所述存儲單元的溝道連接形成總溝道，所述總溝道的頂部連接至位線，所述總溝道的底部連接至源極線；以及

在所述位線上加載第一電壓，并在所述源極線上加載第二電壓，其中，所述第一電壓大于所述第二電壓，且所述第一電壓與所述第二電壓的電壓差值隨著所述讀取溫度的降低而增大，以在所述存儲單元的讀取溫度降低或升高時，所述存儲單元的閾值電壓分布變窄。

2.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，還包括：

根據多次獲取的所述讀取溫度與所述電壓差值生成讀取溫度-電壓差值的對應關系。

3.根據權利要求2所述的讀取方法，其特征在于，還包括：

在獲取所述讀取溫度之前，獲取所述存儲器的編程溫度；

在獲取所述讀取溫度之后，計算所述讀取溫度與所述編程溫度的溫度差；

根據所述溫度差控制所述第一電壓與所述第二電壓的電壓差值的改變量。

4.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，還包括：

增大所述第一電壓，以在所述讀取溫度降低時，增大所述第一電壓與所述第二電壓的差值。

5.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，還包括：

減小所述第二電壓，以在所述讀取溫度降低時，增大所述第一電壓與所述第二電壓的差值。

6.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，還包括：

增大所述第一電壓并減小所述第二電壓，以在所述讀取溫度降低時，增大所述第一電壓與所述第二電壓的差值。

7.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，所述堆疊結構包括：設于所述襯底上的源極晶體管、設于所述源極晶體管上的多個存儲層、以及設于所述存儲層上的漏極晶體管，所述多個存儲層中的一層為讀取存儲層，所述多個存儲層中的其余層為非讀取存儲層；

所述讀取方法還包括：

在所述位線上加載第一電壓并在所述源極線上加載第二電壓時，在所述漏極晶體管與所述源極晶體管上均加載開啟電壓，在所述讀取存儲層上加載讀取電壓，在所述非讀取存儲層上加載導通電壓，以使所述總溝道導通。

8.一種存儲器的讀取裝置，其特征在于，包括：

溫度傳感器，用于獲取存儲器的讀取溫度，其中，所述存儲器包括襯底和設于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構內形成有存儲串，所述存儲串包括多個存儲單元，每個所述存儲單元包括溝道，多個所述存儲單元串聯連接使得多個所述存儲單元的溝道連接形成總溝道，所述總溝道的頂部連接至位線，所述總溝道的底部連接至源極線；

外圍電路，用于在所述位線上加載第一電壓，并在所述源極線上加載第二電壓，其中，所述第一電壓大于所述第二電壓，且所述第一電壓與所述第二電壓的電壓差值隨著所述讀取溫度的降低而增大，以在所述存儲單元的讀取溫度降低或升高時，所述存儲單元的閾值電壓分布變窄。

9.根據權利要求8所述的讀取裝置，其特征在于，所述外圍電路還用于根據多次獲取的所述讀取溫度與所述電壓差值生成讀取溫度-電壓差值的對應關系。

10.根據權利要求9所述的讀取裝置，其特征在于，

所述溫度傳感器還用于在獲取所述讀取溫度之前，獲取所述存儲器的編程溫度；

所述溫度傳感器還用于在獲取所述讀取溫度之后，計算所述讀取溫度與所述編程溫度的溫度差；

所述外圍電路還用于根據所述溫度差控制所述第一電壓與所述第二電壓的電壓差值的改變量。

11.一種存儲系統，其特征在于，包括：

存儲器，所述存儲器包括：襯底；設于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構內形成有存儲串，所述存儲串包括多個存儲單元，每個所述存儲單元包括溝道，多個所述存儲單元串聯連接使得多個所述存儲單元的溝道連接形成總溝道，所述總溝道的頂部連接至位線，所述總溝道的底部連接至源極線；

溫度傳感器，用于獲取存儲器的讀取溫度，其中，所述溫度傳感器內嵌于所述存儲器內；

外圍電路，用于在所述位線上加載第一電壓，并在所述源極線上加載第二電壓，其中，所述第一電壓大于所述第二電壓，且所述第一電壓與所述第二電壓的電壓差值隨著所述讀取溫度的降低而增大，以在所述存儲單元的讀取溫度降低或升高時，所述存儲單元的閾值電壓分布變窄。