[發明專利]存儲器的讀取方法、裝置及存儲系統

有效

• 申請號: 202010232128.6
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN111462799B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 王啟光
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/24;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本發明提供一種存儲器的讀取方法、裝置及存儲系統。讀取方法包括：獲取存儲器的讀取溫度，其中，存儲器包括襯底設于襯底上的堆疊結構，堆疊結構內形成有存儲串，存儲串包括多個存儲單元，每個存儲單元包括溝道，多個存儲單元串聯連接使得多個存儲單元的溝道連接形成總溝道，總溝道的頂部連接至位線，總溝道的底部連接至源級線；在位線上加載第一電壓，并在源級線上加載第二電壓，其中，第一電壓大于第二電壓，且第一電壓與第二電壓的電壓差值隨著讀取溫度的降低而增大。本發明解決了跨溫讀取時，閾值電壓分布展寬程度不同，導致各編程態間距離變小的程度不同，態與態之間的距離不同，且在態與態之間的距離較小時，容易造成讀取錯誤的技術問題。

技術領域

本發明涉及存儲器件技術領域，特別涉及一種存儲器的讀取方法、裝置及存儲系統。

背景技術

三維NAND存儲器由于其高存儲密度，成熟的制備工藝，已經成為商業化的主流存儲結構之一。隨著應用領域擴大，三維NAND存儲器在不同溫度下的可靠性成為重要的產品驗證項目之一。

在對存儲器的各存儲單元進行編程后，使各存儲單元的閾值電壓改變，從而實現信息存儲。在信息存儲之后，需要對信息進行讀取。目前，一般地，對存儲器的編程-讀取方法為：低溫編程，高溫讀取；高溫編程，低溫讀取。存儲單元在較低的編程溫度編程后，在高溫下進行讀操作時，存儲單元的閾值電壓發生較小漂移，閾值電壓分布展寬，整個編程態的分布變寬，態與態之間的讀窗口變小。當存儲單元在較高的編程溫度編程后，在低溫下進行讀操作時，溝道的電阻升高，存儲單元的閾值電壓發生較大漂移，閾值電壓分布明顯展寬，整個編程態的分布變寬，態與態之間的讀窗口變小。

對于高溫讀取和低溫讀取兩種過程，存儲單元閾值電壓漂移幅度不同，這導致跨溫讀取時，閾值電壓分布展寬程度不同，導致各編程態間距離變小的程度不同，而在態與態之間的距離不同，且在態與態之間的距離較小時，容易造成讀取錯誤。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲器的讀取方法、裝置及存儲系統，以解決跨溫讀取時，閾值電壓分布展寬程度不同，導致各編程態間距離變小的程度不同，態與態之間的距離不同，且在態與態之間的距離較小時，容易造成讀取錯誤的技術問題。

本發明提供一種存儲器的讀取方法，包括：

獲取存儲器的讀取溫度，其中，所述存儲器包括襯底和設于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構內形成有存儲串，所述存儲串包括多個存儲單元，每個所述存儲單元包括溝道，多個所述存儲單元串聯連接使得多個所述存儲單元的溝道連接形成總溝道，所述總溝道的頂部連接至位線，所述總溝道的底部連接至源級線；以及

在所述位線上加載第一電壓，并在所述源級線上加載第二電壓，其中，所述第一電壓大于所述第二電壓，且所述第一電壓與所述第二電壓的電壓差值隨著所述讀取溫度的降低而增大。

在至少一個實施例中，還包括：

根據多次獲取的所述讀取溫度與所述電壓差值生成讀取溫度-電壓差值的對應關系。

在至少一個實施例中，還包括：

在獲取所述讀取溫度之前，獲取所述存儲器的編程溫度；

在獲取所述讀取溫度之后，計算所述讀取溫度與所述編程溫度的溫度差；

根據所述溫度差控制所述第一電壓與所述第二電壓的電壓差值的改變量。

在至少一個實施例中，還包括：

增大所述第一電壓，以在所述讀取溫度降低時，增大所述第一電壓與所述第二電壓的差值。

在至少一個實施例中，還包括：

減小所述第二電壓，以在所述讀取溫度降低時，增大所述第一電壓與所述第二電壓的差值。

在至少一個實施例中，還包括：