[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝方法及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010230906.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113725096A | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周輝星 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 矽磐微電子(重慶)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 方法 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,所述半導(dǎo)體封裝方法包括:
將多個(gè)待封裝的裸片貼裝于載板上,所述裸片具有正面,所述裸片的正面靠近所述載板的表面,所述裸片的正面設(shè)有多個(gè)焊墊;
形成第一包封層,所述第一包封層覆蓋在所述載板上,包封住所述多個(gè)待封裝的裸片;
剝離所述載板,露出所述裸片的正面;
將至少一個(gè)引線框固定于多個(gè)所述裸片的正面,并將所述引線框的引腳與對(duì)應(yīng)的裸片的焊墊電連接;所述引線框包括至少一個(gè)引腳區(qū),每一所述引腳區(qū)與至少兩個(gè)所述裸片對(duì)應(yīng),每一所述引腳區(qū)設(shè)有多個(gè)引腳,每一所述裸片與對(duì)應(yīng)的所述引腳區(qū)中的至少一個(gè)引腳對(duì)應(yīng);
在所述引腳上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)將同一所述引腳區(qū)對(duì)應(yīng)的各個(gè)裸片對(duì)應(yīng)的引腳電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電凸柱與走線,所述在所述引腳上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu),包括:
在所述引腳上形成將所述焊墊引出的第一導(dǎo)電凸柱;
在所述第一導(dǎo)電凸柱上形成走線,所述走線將至少兩個(gè)相鄰的所述裸片對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電凸柱電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,所述半導(dǎo)體封裝方法還包括:
在所述引線框上形成第一介電層,所述第一介電層覆蓋露出的所述引線框,且所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)背離所述引線框的表面露出所述第一介電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,在所述第一導(dǎo)電凸柱上形成走線后,所述半導(dǎo)體封裝方法還包括:在所述走線上形成用于將所述走線引出的第二導(dǎo)電凸柱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,在所述走線上形成用于將所述走線引出的第二導(dǎo)電凸柱之后,所述半導(dǎo)體封裝方法還包括:
形成第二介電層,所述第二介電層包封露出的所述走線及所述第二導(dǎo)電凸柱,所述第二導(dǎo)電凸柱背離所述引線框的表面露出所述第二介電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,所述將至少一個(gè)引線框固定于所述裸片的正面,包括:
將至少一個(gè)所述引線框置于所述裸片的正面,使所述引線框的引腳區(qū)與對(duì)應(yīng)的裸片相對(duì),且所述引腳與所述裸片的焊墊相對(duì);
形成膠粘層,使所述引線框通過(guò)所述膠粘層固定于所述裸片的正面及所述第一包封層上,且所述引腳的表面露出所述膠粘層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,所述引腳上設(shè)有通孔,所述通孔中形成有所述膠粘層;所述將所述引線框的引腳與對(duì)應(yīng)的裸片的焊墊電連接,包括:
去除位于所述通孔中的所述膠粘層;
在所述通孔中填充導(dǎo)電材料,使所述引腳通過(guò)所述導(dǎo)電材料與所述焊墊電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,所述引線框包括多個(gè)所述引腳區(qū),所述引線框包括多個(gè)第一連桿及第二連桿,多個(gè)所述第一連桿圍合形成框架體,所述第二連桿設(shè)置在所述框架體內(nèi),將所述框架體內(nèi)分隔成多個(gè)所述引腳區(qū),所述引腳區(qū)的引腳與所述第一連桿或者所述第二連桿連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,所述引腳上設(shè)有通孔;所述引腳與所述第一連桿相連,所述通孔設(shè)置在所述引腳背離該第一連桿的一側(cè);或者,所述引腳與所述第二連桿相連,所述通孔設(shè)置在所述引腳背離該第二連桿的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,在所述引腳上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之后得到封裝結(jié)構(gòu),所述半導(dǎo)體封裝方法還包括:
對(duì)所述封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割,將所述第一連桿與所述第二連桿去除。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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