[發明專利]芯片封裝結構

在審

• 申請號: 202010230896.8
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN113725181A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 周輝星
• 申請（專利權）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張相欽

本發明提供了一種芯片封裝結構，在裸片上設置有電連接件，電連接件包括第一導電部、第二導電部以及連接第一導電部與第二導電部的連接部，第二導電部包括第一子導電部與第二子導電部，第一導電部電連接于裸片的背面；裸片與電連接件被第一塑封層塑封，電連接件的第一導電部、第二導電部以及裸片的活性面暴露在第一塑封層外；裸片的活性面、電連接件的第二導電部以及第一塑封層上形成有線路層，線路層包括再布線層，部分再布線層電連接第一子導電部與第一內焊盤，部分再布線層電連接第二子導電部與背部接地內焊盤。利用電連接件實現了裸片活性面的特定電連接點位置進行背面接地。裸片活性面上容易積累熱量的發熱區處的熱量能散出。

技術領域

本發明涉及芯片封裝技術領域，尤其涉及一種芯片封裝結構。

背景技術

近年來，隨著電路集成技術的不斷發展，電子產品越來越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向發展。封裝技術不但影響產品的性能，而且還制約產品的小型化。在電力芯片(power module)中，需要將裸片活性面的特定電連接點位置進行背面接地。

有鑒于此，本發明提供一種新的芯片封裝結構，以封裝電力芯片。

發明內容

本發明的發明目的是提供一種芯片封裝結構，以封裝電力芯片。

為實現上述目的，本發明提供一種芯片封裝結構，包括：

一裸片，所述裸片包括相對的活性面與背面，所述活性面具有第一內焊盤、第二內焊盤以及保護層，所述第一內焊盤位于所述裸片的發熱區，所述第二內焊盤至少包括一個背部接地內焊盤；所述保護層具有多個第一開口，部分數目的所述第一開口暴露所述第一內焊盤的部分區域，部分數目的所述第一開口暴露所述第二內焊盤的部分區域；

一電連接件，所述電連接件包括第一導電部、第二導電部以及連接所述第一導電部與所述第二導電部的連接部，所述第二導電部包括第一子導電部與第二子導電部；所述第一導電部電連接于所述裸片的背面；

第一塑封層，包覆所述裸片與所述電連接件，所述電連接件的第一導電部、第二導電部以及所述裸片的活性面暴露在所述第一塑封層外；

線路層，所述線路層位于所述裸片的活性面、所述電連接件的第二導電部以及所述第一塑封層上；所述線路層包括再布線層，部分所述再布線層電連接所述第一子導電部與所述第一內焊盤，部分所述再布線層電連接所述第二子導電部與所述背部接地內焊盤。

可選地，所述電連接件的第一導電部、連接部以及第一子導電部呈H狀；和/或所述電連接件的第一導電部、連接部以及第二子導電部呈H狀；和/或所述第一子導電部包括兩個或兩個以上。

可選地，所述裸片的背面設置有導電層，和/或所述第一導電部與所述裸片的背面之間設置有導電膠。

可選地，所述導電膠包括納米銅/導電聚合物復合材料。

可選地，所述納米銅/導電聚合物復合材料中，所述導電聚合物為：聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚苯硫醚中的至少一種，和/或所述納米銅的粒徑小于800nm。

可選地，所述納米銅的粒徑的范圍為200nm～500nm。

可選地，暴露在所述第一塑封層外的所述電連接件的第一導電部上具有第一抗氧化層。

可選地，所述線路層包括外引腳；所述再布線層上具有導電凸柱，所述導電凸柱為所述外引腳。

可選地，所述導電凸柱上具有第二抗氧化層。

可選地，所述線路層包括外引腳；所述再布線層上具有導電凸柱，所述導電凸柱上具有焊球，所述焊球為所述外引腳。

可選地，所述再布線層包括兩層或兩層以上。