[發明專利]芯片封裝結構

在審

• 申請號: 202010230896.8
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN113725181A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 周輝星
• 申請（專利權）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張相欽

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：

一裸片，所述裸片包括相對的活性面與背面，所述活性面具有第一內焊盤、第二內焊盤以及保護層，所述第一內焊盤位于所述裸片的發熱區，所述第二內焊盤至少包括一個背部接地內焊盤；所述保護層具有多個第一開口，部分數目的所述第一開口暴露所述第一內焊盤的部分區域，部分數目的所述第一開口暴露所述第二內焊盤的部分區域；

一電連接件，所述電連接件包括第一導電部、第二導電部以及連接所述第一導電部與所述第二導電部的連接部，所述第二導電部包括第一子導電部與第二子導電部；所述第一導電部電連接于所述裸片的背面；

第一塑封層，包覆所述裸片與所述電連接件，所述電連接件的第一導電部、第二導電部以及所述裸片的活性面暴露在所述第一塑封層外；

線路層，所述線路層位于所述裸片的活性面、所述電連接件的第二導電部以及所述第一塑封層上；所述線路層包括再布線層，部分所述再布線層電連接所述第一子導電部與所述第一內焊盤，部分所述再布線層電連接所述第二子導電部與所述背部接地內焊盤。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述電連接件的第一導電部、連接部以及第一子導電部呈H狀；和/或所述電連接件的第一導電部、連接部以及第二子導電部呈H狀。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一子導電部包括兩個或兩個以上。

4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述裸片的背面設置有導電層，和/或所述第一導電部與所述裸片的背面之間設置有導電膠。

5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述導電膠包括納米銅/導電聚合物復合材料。

6.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，暴露在所述第一塑封層外的所述電連接件的第一導電部上具有第一抗氧化層。

7.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述線路層包括外引腳；所述再布線層上具有導電凸柱，所述導電凸柱為所述外引腳。

8.根據權利要求7所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述導電凸柱上具有第二抗氧化層。

9.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述線路層包括外引腳；所述再布線層上具有導電凸柱，所述導電凸柱上具有焊球，所述焊球為所述外引腳。

10.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述再布線層包括兩層或兩層以上。