[發明專利]芯片封裝結構的制作方法

在審

• 申請號: 202010230888.3
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN113725088A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 周輝星
• 申請（專利權）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張相欽

1.一種芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供載板和多個裸片，每一所述裸片包括相對的活性面與背面，所述活性面具有第一內焊盤、第二內焊盤以及覆蓋所述第一內焊盤與所述第二內焊盤的保護層；所述第一內焊盤位于所述裸片的發熱區，所述第二內焊盤至少包括一個背部接地內焊盤；將各個所述裸片的活性面固定于所述載板；

提供多個電連接件，所述電連接件包括第一導電部、第二導電部以及連接所述第一導電部與所述第二導電部的連接部，所述第二導電部包括第一子導電部與第二子導電部；將每個所述電連接件設置于每個所述裸片上，所述第一導電部電連接于所述裸片的背面，所述第二導電部設置于所述載板的表面；

在所述載板表面形成包埋各個所述裸片與各個所述電連接件的第一塑封層；減薄所述第一塑封層直至各個所述電連接件的第一導電部露出；去除所述載板；

在各個所述裸片的活性面、各個所述電連接件的第二導電部以及所述第一塑封層上形成線路層以形成包含多個裸片的封裝中間結構，所述線路層包括再布線層，部分所述再布線層電連接所述第一子導電部與所述第一內焊盤，部分所述再布線層電連接所述第二子導電部與所述背部接地內焊盤；

切割所述封裝中間結構形成多個芯片封裝結構，每個芯片封裝結構中包含一個裸片。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所提供的多個電連接件布置在一第一支撐板上。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述電連接件的第一導電部、連接部以及第一子導電部呈H狀；和/或所述電連接件的第一導電部、連接部以及第二子導電部呈H狀；和/或所述電連接件通過切割、沖壓、刻蝕、壓印中的至少一種方法形成；和/或所述第一子導電部包括兩個或兩個以上。

4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在露出所述第一塑封層的各個所述電連接件的第一導電部上形成第一抗氧化層。

5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在各個所述裸片的活性面、各個所述電連接件的第二導電部以及所述第一塑封層上形成線路層包括：

在各個所述裸片的第一內焊盤、第二內焊盤、保護層、各個所述裸片之間的第一塑封層以及各個所述電連接件的第二導電部上形成所述再布線層；

在所述再布線層上形成導電凸柱。

6.根據權利要求5所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述再布線層包括兩層或兩層以上。

7.根據權利要求5所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述導電凸柱上形成焊球，所述焊球為外引腳。

8.根據權利要求5所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述導電凸柱上形成第二抗氧化層。

9.根據權利要求5所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述再布線層上形成導電凸柱包括：

在所述再布線層的金屬塊上形成導電凸柱；

在所述導電凸柱上以及相鄰導電凸柱之間形成第二介電層，所述第二介電層為無機材料；

拋光所述第二介電層直至暴露出所述導電凸柱；

或包括：

在所述再布線層的金屬塊上形成導電凸柱；

在相鄰導電凸柱之間形成第二介電層，所述第二介電層的上表面與所述導電凸柱的上表面齊平，所述第二介電層為有機材料；

或包括：

在所述再布線層上形成第二介電層；

在所述第二介電層內形成若干第三開口，所述第三開口暴露所述再布線層的金屬塊；

在所述第二介電層上以及所述第三開口內形成導電材料層；

拋光所述導電材料層直至所述第二介電層露出，所述第三開口內的導電材料層形成導電凸柱；

或包括：

在所述再布線層的金屬塊上形成導電凸柱，在所述再布線層上形成包埋所述導電凸柱的第二塑封層；

減薄所述第二塑封層直至暴露出所述導電凸柱。