[發(fā)明專利]芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010230888.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113725088A | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周輝星 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 矽磐微電子(重慶)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415 | 代理人: | 張相欽 |
| 地址: | 401331 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) 制作方法 | ||
本發(fā)明提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,在裸片上設(shè)置電連接件,電連接件包括第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部以及連接第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部的連接部,第二導(dǎo)電部包括第一子導(dǎo)電部與第二子導(dǎo)電部,第一導(dǎo)電部電連接于裸片的背面;裸片與電連接件被第一塑封層塑封,電連接件的第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部以及裸片的活性面暴露在第一塑封層外;裸片的活性面、電連接件的第二導(dǎo)電部以及第一塑封層上形成有線路層,線路層包括再布線層,部分再布線層電連接第一子導(dǎo)電部與第一內(nèi)焊盤,部分再布線層電連接第二子導(dǎo)電部與背部接地內(nèi)焊盤。利用電連接件實(shí)現(xiàn)了裸片活性面的特定電連接點(diǎn)位置進(jìn)行背面接地。裸片活性面上容易積累熱量的發(fā)熱區(qū)處的熱量能散出。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)
近年來,隨著電路集成技術(shù)的不斷發(fā)展,電子產(chǎn)品越來越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向發(fā)展。封裝技術(shù)不但影響產(chǎn)品的性能,而且還制約產(chǎn)品的小型化。在電力芯片(power module)中,需要將裸片活性面的特定電連接點(diǎn)位置進(jìn)行背面接地。
有鑒于此,本發(fā)明提供一種新的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,以封裝電力芯片。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,以封裝電力芯片。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,包括:
提供載板和多個(gè)裸片,每一所述裸片包括相對(duì)的活性面與背面,所述活性面具有第一內(nèi)焊盤、第二內(nèi)焊盤以及覆蓋所述第一內(nèi)焊盤與所述第二內(nèi)焊盤的保護(hù)層;所述第一內(nèi)焊盤位于所述裸片的發(fā)熱區(qū),所述第二內(nèi)焊盤至少包括一個(gè)背部接地內(nèi)焊盤;將各個(gè)所述裸片的活性面固定于所述載板;
提供多個(gè)電連接件,所述電連接件包括第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部以及連接所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部的連接部,所述第二導(dǎo)電部包括第一子導(dǎo)電部與第二子導(dǎo)電部;將每個(gè)所述電連接件設(shè)置于每個(gè)所述裸片上,所述第一導(dǎo)電部電連接于所述裸片的背面,所述第二導(dǎo)電部設(shè)置于所述載板的表面;
在所述載板表面形成包埋各個(gè)所述裸片與各個(gè)所述電連接件的第一塑封層;減薄所述第一塑封層直至各個(gè)所述電連接件的第一導(dǎo)電部露出;去除所述載板;
在各個(gè)所述裸片的活性面、各個(gè)所述電連接件的第二導(dǎo)電部以及所述第一塑封層上形成線路層以形成包含多個(gè)裸片的封裝中間結(jié)構(gòu),所述線路層包括再布線層,部分所述再布線層電連接所述第一子導(dǎo)電部與所述第一內(nèi)焊盤,部分所述再布線層電連接所述第二子導(dǎo)電部與所述背部接地內(nèi)焊盤;
切割所述封裝中間結(jié)構(gòu)形成多個(gè)芯片封裝結(jié)構(gòu),每個(gè)芯片封裝結(jié)構(gòu)中包含一個(gè)裸片。
可選地,所提供的多個(gè)電連接件布置在一第一支撐板上。
可選地,所述電連接件的第一導(dǎo)電部、連接部以及第一子導(dǎo)電部呈H狀;和/或所述電連接件的第一導(dǎo)電部、連接部以及第二子導(dǎo)電部呈H狀;和/或所述電連接件通過切割、沖壓、刻蝕、壓印中的至少一種方法形成;和/或所述第一子導(dǎo)電部包括兩個(gè)或兩個(gè)以上。
可選地,還包括:在露出所述第一塑封層的各個(gè)所述電連接件的第一導(dǎo)電部上形成第一抗氧化層。
可選地,在各個(gè)所述裸片的活性面、各個(gè)所述電連接件的第二導(dǎo)電部以及所述第一塑封層上形成線路層包括:
在各個(gè)所述裸片的第一內(nèi)焊盤、第二內(nèi)焊盤、保護(hù)層、各個(gè)所述裸片之間的第一塑封層以及各個(gè)所述電連接件的第二導(dǎo)電部上形成所述再布線層;
在所述再布線層上形成導(dǎo)電凸柱。
可選地,所述再布線層包括兩層或兩層以上,和/或所述再布線層為扇出線路。
可選地,還包括:在所述導(dǎo)電凸柱上形成焊球,所述焊球?yàn)橥庖_。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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