[發明專利]芯片封裝結構的制作方法

在審

• 申請號: 202010230886.4
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN113725087A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 周輝星
• 申請（專利權）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張相欽

1.一種芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供預布線基板，所述預布線基板包括多個單元區，每個所述單元區包括布線區與空白區；將所述預布線基板置于載板；

將多個晶粒的活性面置于所述預布線基板上，所述活性面具有內焊盤，所述內焊盤對應于至少部分個所述空白區；在所述各個晶粒上、各個晶粒之間的所述預布線基板的表面以及所述載板的表面形成第一塑封層；去除所述載板；

在對應所述內焊盤的空白區形成第一開口，以暴露所述內焊盤；在所述第一開口內填充第一導電材料層以電連接所述布線區中的導電線與所述內焊盤；

在所述導電線上形成外引腳以形成多芯片封裝結構；

沿所述預布線基板相鄰單元區之間的切割道切割所述多芯片封裝結構形成多個芯片封裝結構。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述預布線基板的一個單元區對應一個晶粒；或所述預布線基板的一個單元區對應兩個或兩個以上晶粒。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述導電線為再布線層。

4.根據權利要求3所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述再布線層包括兩層或兩層以上，和/或所述再布線層為扇出線路。

5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述預布線基板中，相鄰所述導電線之間為有機絕緣層或無機絕緣層。

6.根據權利要求5所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述空白區形成第一開口通過激光照射、干法刻蝕或濕法刻蝕實現。

7.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述導電線上形成外引腳包括：

在所述導電線上形成導電凸柱；

在所述導電凸柱上以及相鄰導電凸柱之間形成第二介電層，所述第二介電層為無機材料；

拋光所述第二介電層直至暴露出所述導電凸柱；

或包括：

在所述導電線上形成導電凸柱；

在相鄰導電凸柱之間形成第二介電層，所述第二介電層的上表面與所述導電凸柱的上表面齊平，所述第二介電層為有機材料；

或包括：

在所述預布線基板上形成第二介電層；

在所述第二介電層內形成若干第二開口，所述第二開口暴露所述導電線；

在所述第二介電層上以及所述第二開口內形成第二導電材料層；

拋光所述第二導電材料層直至第二介電層露出，所述第二開口內的第二導電材料層形成導電凸柱；

或包括：

在所述導電線上形成導電凸柱，在所述預布線基板上形成包埋所述導電凸柱的第二塑封層；

減薄所述第二塑封層直至暴露出所述導電凸柱。

8.根據權利要求7所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述導電凸柱上形成焊球，所述焊球為所述外引腳。

9.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，將多個晶粒的活性面置于所述預布線基板上之前，在所述晶粒的活性面和/或所述預布線基板上布置粘膠層。

10.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述預布線基板包括多個拼接的預布線子基板。