[發(fā)明專(zhuān)利]芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010230877.5
• 申請(qǐng)日: 2020-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113725086A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周輝星
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415
• 代理人: 張相欽

1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供多晶粒封裝結(jié)構(gòu)，所述多晶粒封裝結(jié)構(gòu)包括多個(gè)晶粒以及包埋所述多個(gè)晶粒的第一塑封層，每一所述晶粒的活性面暴露在所述第一塑封層外，所述活性面具有內(nèi)焊盤(pán)；

提供預(yù)布線(xiàn)基板，所述預(yù)布線(xiàn)基板包括多個(gè)單元區(qū)，每個(gè)所述單元區(qū)包括布線(xiàn)區(qū)與空白區(qū)；

將所述預(yù)布線(xiàn)基板置于所述多晶粒封裝結(jié)構(gòu)上，至少部分個(gè)所述空白區(qū)對(duì)應(yīng)于所述內(nèi)焊盤(pán)；在對(duì)應(yīng)所述內(nèi)焊盤(pán)的所述空白區(qū)形成第一開(kāi)口，以暴露所述內(nèi)焊盤(pán)；在所述第一開(kāi)口內(nèi)填充第一導(dǎo)電材料層以電連接所述布線(xiàn)區(qū)中的導(dǎo)電線(xiàn)與所述內(nèi)焊盤(pán)；

在所述導(dǎo)電線(xiàn)上形成外引腳以形成多芯片封裝結(jié)構(gòu)；

沿所述預(yù)布線(xiàn)基板相鄰單元區(qū)之間的切割道切割所述多芯片封裝結(jié)構(gòu)形成多個(gè)芯片封裝結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述預(yù)布線(xiàn)基板的一個(gè)單元區(qū)對(duì)應(yīng)一個(gè)晶粒；或所述預(yù)布線(xiàn)基板的一個(gè)單元區(qū)對(duì)應(yīng)兩個(gè)或兩個(gè)以上晶粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述多晶粒封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括：

提供載板和多個(gè)晶粒，每一所述晶粒包括活性面，所述活性面具有內(nèi)焊盤(pán)；將所述多個(gè)晶粒的活性面固定于所述載板；

在所述各個(gè)晶粒以及各個(gè)晶粒之間的載板表面形成包埋所述各個(gè)晶粒的第一塑封層，去除所述載板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)電線(xiàn)為再布線(xiàn)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述再布線(xiàn)層包括兩層或兩層以上，和/或所述再布線(xiàn)層為扇出線(xiàn)路。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述預(yù)布線(xiàn)基板中，相鄰所述導(dǎo)電線(xiàn)之間為有機(jī)絕緣層或無(wú)機(jī)絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述空白區(qū)形成第一開(kāi)口通過(guò)激光照射、干法刻蝕或濕法刻蝕實(shí)現(xiàn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電線(xiàn)上形成外引腳包括：

在所述導(dǎo)電線(xiàn)上形成導(dǎo)電凸柱；

在所述導(dǎo)電凸柱上以及相鄰導(dǎo)電凸柱之間形成第二介電層，所述第二介電層為無(wú)機(jī)材料；

拋光所述第二介電層直至暴露出所述導(dǎo)電凸柱；

或包括：

在所述導(dǎo)電線(xiàn)上形成導(dǎo)電凸柱；

在相鄰導(dǎo)電凸柱之間形成第二介電層，所述第二介電層的上表面與所述導(dǎo)電凸柱的上表面齊平，所述第二介電層為有機(jī)材料；

或包括：

在所述預(yù)布線(xiàn)基板上形成第二介電層；

在所述第二介電層內(nèi)形成若干第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口暴露所述導(dǎo)電線(xiàn)；

在所述第二介電層上以及所述第二開(kāi)口內(nèi)形成第二導(dǎo)電材料層；

拋光所述第二導(dǎo)電材料層直至第二介電層露出，所述第二開(kāi)口內(nèi)的第二導(dǎo)電材料層形成導(dǎo)電凸柱；

或包括：

在所述導(dǎo)電線(xiàn)上形成導(dǎo)電凸柱，在所述預(yù)布線(xiàn)基板上形成包埋所述導(dǎo)電凸柱的第二塑封層；

減薄所述第二塑封層直至暴露出所述導(dǎo)電凸柱。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括：在所述導(dǎo)電凸柱上形成焊球，所述焊球?yàn)樗鐾庖_。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，將所述預(yù)布線(xiàn)基板置于所述多晶粒封裝結(jié)構(gòu)上之前，在所述預(yù)布線(xiàn)基板和/或所述第一塑封層上布置粘膠層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述預(yù)布線(xiàn)基板包括多個(gè)拼接的預(yù)布線(xiàn)子基板。