[發(fā)明專利]垂直存儲(chǔ)器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010227760.1
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號(hào): CN112117279A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 千志成;白石千
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);尹淑梅

提供了一種垂直存儲(chǔ)器裝置，所述垂直存儲(chǔ)器裝置包括位于基底上的第一結(jié)構(gòu)。第一結(jié)構(gòu)包括在垂直于基底的上表面的豎直方向上彼此間隔開以形成多個(gè)層的柵極圖案。第二結(jié)構(gòu)連接到第一結(jié)構(gòu)。第二結(jié)構(gòu)包括電連接到所述多個(gè)層中的相應(yīng)層的柵極圖案的墊圖案。溝道結(jié)構(gòu)穿過柵極圖案。第一接觸插塞穿過第二結(jié)構(gòu)，并且與所述多個(gè)層中的一個(gè)層的墊圖案電連接。第一接觸插塞與其他層的柵極圖案電絕緣。在溝道結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第一接觸插塞的側(cè)壁中的每者處包括至少一個(gè)彎曲部分。

本申請要求于2019年6月20日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的第10-2019-0073611號(hào)韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及垂直存儲(chǔ)器裝置。

背景技術(shù)

近來，已經(jīng)開發(fā)出包括豎直堆疊在基底上的多個(gè)存儲(chǔ)器單元的垂直存儲(chǔ)器裝置。垂直存儲(chǔ)器裝置的一個(gè)示例包括NAND型閃存。盡管垂直存儲(chǔ)器裝置已經(jīng)具有增加的集成度，但是隨著堆疊的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量增加，用于連接存儲(chǔ)器單元的布線結(jié)構(gòu)會(huì)變得復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種垂直存儲(chǔ)器裝置，所述垂直存儲(chǔ)器裝置包括位于基底上的第一結(jié)構(gòu)。第一結(jié)構(gòu)包括在垂直于基底的上表面的豎直方向上彼此間隔開以形成多個(gè)層的柵極圖案。第二結(jié)構(gòu)連接到第一結(jié)構(gòu)。第二結(jié)構(gòu)包括電連接到所述多個(gè)層中的相應(yīng)層的柵極圖案的墊圖案。溝道結(jié)構(gòu)穿過柵極圖案。第一接觸插塞穿過第二結(jié)構(gòu)，并且與所述多個(gè)層中的一個(gè)層的墊圖案電連接。第一接觸插塞與其他層的柵極圖案電絕緣。在溝道結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和第一接觸插塞的側(cè)壁中的每者處包括至少一個(gè)彎曲部分。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種垂直存儲(chǔ)器裝置，所述垂直存儲(chǔ)器裝置包括位于基底上的電路圖案。基體圖案和基體絕緣層設(shè)置在電路圖案上。第一結(jié)構(gòu)設(shè)置在基體圖案上。第一結(jié)構(gòu)包括在垂直于基底的上表面的豎直方向上彼此間隔開的柵極圖案。柵極圖案在平行于基底的上表面的第一方向上延伸。第二結(jié)構(gòu)連接到第一結(jié)構(gòu)，第二結(jié)構(gòu)包括在單獨(dú)的多個(gè)層中的墊圖案。墊圖案電連接到同一層的柵極圖案。溝道結(jié)構(gòu)穿過柵極圖案，并且溝道結(jié)構(gòu)在豎直方向上延伸。穿過第二結(jié)構(gòu)的第一接觸插塞與所述多個(gè)層中的一個(gè)層的墊圖案電連接，并且第一接觸插塞在豎直方向上延伸。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種垂直存儲(chǔ)器裝置，所述垂直存儲(chǔ)器裝置包括設(shè)置在基底上的第一結(jié)構(gòu)。第一結(jié)構(gòu)包括在垂直于基底的上表面的豎直方向上彼此間隔開的柵極圖案。柵極圖案在平行于基底的上表面的第一方向上延伸。第二結(jié)構(gòu)連接到第一結(jié)構(gòu)，第二結(jié)構(gòu)包括在單獨(dú)的多個(gè)層中間隔開并電連接到同一層的柵極圖案的墊圖案。溝道結(jié)構(gòu)穿過柵極圖案。溝道結(jié)構(gòu)在豎直方向上延伸。第一接觸插塞穿過第二結(jié)構(gòu)，并且與所述多個(gè)層中的一個(gè)層的墊圖案電連接，并且第一接觸插塞在豎直方向上延伸。第一接觸插塞與其他層的柵極圖案電絕緣。第三結(jié)構(gòu)與第二結(jié)構(gòu)間隔開，并且第二接觸插塞穿過第三結(jié)構(gòu)，并且第二接觸插塞在豎直方向上延伸。溝道結(jié)構(gòu)的上表面與第一接觸插塞的上表面和第二接觸插塞的上表面彼此共面。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他特征將變得更清楚，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的垂直存儲(chǔ)器裝置的平面圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的垂直存儲(chǔ)器裝置的沿著圖1的線I-I'和線II-II'截取的剖視圖；

圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的垂直存儲(chǔ)器裝置的沿著線III-III'截取的剖面的剖視圖；

圖3B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的垂直存儲(chǔ)器裝置中的位于一個(gè)水平處的柵極圖案、導(dǎo)電圖案和墊圖案(pad pattern，或稱為“焊盤圖案”)的平面圖；

圖4A、圖4B和圖4C是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的垂直存儲(chǔ)器裝置的下部分的剖視圖；