[發明專利]垂直存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010227760.1
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN112117279A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 千志成;白石千
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置包括：

第一結構，位于基底上，第一結構包括在與基底的上表面垂直的豎直方向上彼此間隔開以形成多個層的柵極圖案；

第二結構，連接到第一結構，第二結構包括電連接到所述多個層中的相應層的柵極圖案的墊圖案；

溝道結構，穿過柵極圖案；以及

第一接觸插塞，穿過第二結構，并且與所述多個層中的一個層的墊圖案電連接，其中，第一接觸插塞與其他層的柵極圖案電絕緣，

其中，在溝道結構的側壁和第一接觸插塞的側壁中的每者處包括至少一個彎曲部分。

2.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，溝道結構的彎曲部分和第一接觸插塞的彎曲部分彼此共面。

3.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，溝道結構的上表面和第一接觸插塞的上表面彼此共面。

4.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，溝道結構的下表面比第一接觸插塞的下表面高。

5.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

電路圖案，形成在基底上；

下墊，電連接到電路圖案；以及

基體圖案和基體絕緣層，位于下墊上，

其中，第一結構和第二結構形成在基體圖案或基體絕緣層上。

6.根據權利要求5所述的垂直存儲器裝置，其中，溝道結構的下表面接觸基體圖案，并且第一接觸插塞的下表面接觸下墊。

7.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

第三結構，與第二結構間隔開，并且第三結構包括絕緣材料；以及

第二接觸插塞，穿過第三結構，并且第二接觸插塞在其側壁處包括彎曲部分。

8.根據權利要求7所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

第一上布線，位于溝道結構上，第一上布線電連接到溝道結構；以及

第二上布線，位于第二接觸插塞上，第二上布線電連接到第二接觸插塞。

9.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括覆蓋第一結構和第二結構的絕緣中間層，并且

其中，絕緣中間層的上表面與溝道結構和第一接觸插塞中的每個的上表面共面。

10.根據權利要求9所述的垂直存儲器裝置，其中，溝道結構的彎曲部分定位在第一結構與絕緣中間層之間，并且第一接觸插塞的彎曲部分定位在第二結構與絕緣中間層之間。

11.一種垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置包括：

電路圖案，位于基底上；

基體圖案和基體絕緣層，位于電路圖案上；

第一結構，位于基體圖案上，第一結構包括在與基底的上表面垂直的豎直方向上彼此間隔開的柵極圖案，并且柵極圖案在與基底的上表面平行的第一方向上延伸；

第二結構，連接到第一結構，第二結構包括位于單獨的多個層中的墊圖案，其中，墊圖案電連接到同一層的柵極圖案；

溝道結構，穿過柵極圖案，并且溝道結構在豎直方向上延伸；以及

第一接觸插塞，穿過第二結構，并且與所述多個層中的一個層的墊圖案電連接，并且第一接觸插塞在豎直方向上延伸，

其中，溝道結構的上表面和第一接觸插塞的上表面彼此共面。

12.根據權利要求11所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括位于溝道結構的側壁和第一接觸插塞的側壁中的至少一者處的至少一個彎曲部分。

13.根據權利要求12所述的垂直存儲器裝置，其中，溝道結構的彎曲部分和第一接觸插塞的彎曲部分彼此共面。