[發(fā)明專利]倒裝發(fā)光二極管芯片及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010227110.7
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN111446341B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 蘭葉;黃磊;張威;吳志浩;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/44;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/40
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述倒裝發(fā)光二極管芯片包括襯底(10)、N型半導體層(21)、有源層(22)、P型半導體層(23)、透明導電層(31)、透明絕緣層(32)、反射電極(41)、連接電極(42)和分布式布拉格反射層(51)；

所述N型半導體層(21)、所述有源層(22)和所述P型半導體層(23)依次層疊在所述襯底(10)上，所述P型半導體層(23)上設有延伸至所述N型半導體層(21)的凹槽(100)、以及延伸至所述襯底(10)的隔離槽(200)；所述透明導電層(31)和所述透明絕緣層(32)依次層疊在所述P型半導體層(23)上，所述透明絕緣層(32)內(nèi)設有多個延伸至所述透明導電層(31)的通孔(300)；所述反射電極(41)設置在多個所述通孔(300)內(nèi)與所述透明導電層(31)接觸，并鋪設在所述透明絕緣層(32)上；所述連接電極(42)設置在所述凹槽(100)內(nèi)的N型半導體層(21)上；所述分布式布拉格反射層(51)鋪設在所述凹槽(100)和所述隔離槽(200)的各個表面上；

多個所述通孔(300)包括多排第一通孔(310)，同一排的所述第一通孔(310)與所述凹槽(100)的距離相同；在遠離所述凹槽(100)的方向上，各排的所述第一通孔(310)的橫截面面積之和逐漸增大，所述第一通孔(310)的橫截面為所述第一通孔(310)垂直于所述第一通孔(310)的延伸方向的截面。

2.根據(jù)權利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，在兩排相鄰的所述第一通孔(310)中，遠離所述凹槽(100)的一排所述第一通孔(310)的橫截面面積之和，為靠近所述凹槽(100)的一排所述第一通孔(310)的橫截面面積之和的120％～140％。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述多排第一通孔(310)滿足以下條件中的至少一個：

在遠離所述凹槽(100)的方向上，各個所述第一通孔(310)的橫截面面積逐漸增大；

在遠離所述凹槽(100)的方向上，各排的所述第一通孔(310)的數(shù)量逐漸增多。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述透明絕緣層(32)的橫截面呈多邊形，所述透明絕緣層(32)的橫截面為所述透明絕緣層(32)垂直于所述通孔(300)的延伸方向的截面；多個所述通孔(300)還包括多個第二通孔(320)，所述多個第二通孔(320)位于所述多邊形的不同轉(zhuǎn)角處。

5.根據(jù)權利要求4所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第二通孔(320)的橫截面呈扇環(huán)形，所述扇環(huán)形的圓心和所述第二通孔(320)對應的所述多邊形的轉(zhuǎn)角位于所述扇環(huán)形的兩側，所述第二通孔(320)的橫截面為所述第二通孔(320)垂直于所述第二通孔(320)的延伸方向的截面。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述倒裝發(fā)光二極管芯片還包括透明粘附層(33)，所述透明粘附層(33)的材料為氧化鋁，所述透明粘附層(33)夾設在所述透明絕緣層(32)和所述反射電極(41)之間。

7.根據(jù)權利要求6所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述透明粘附層(33)的厚度小于100埃。

8.根據(jù)權利要求1或2所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述反射電極(41)包括依次層疊的反射層(411)和阻擋層(412)，所述反射層(411)為銀層，所述阻擋層(412)包括交替層疊的鎳層(412a)和鉑金層(412b)。